量子点接触器件电势准3D数值模型和模拟方法  

Quasi Three-Dimensional Numerical Modeling and Simulation of Quantum Point Contact Device

作　　者：康宇[1] 杜磊[1] 陈华[1] 孙亚杰[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学技术物理学院,陕西西安710071

出　　处：《电子科技》2010年第5期12-14,共3页Electronic Science and Technology

基　　金：西安应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200603)

摘　　要：采用三维泊松方程和二维薛定谔方程自洽求解方法,建立量子点接触器件(QPC)内的电势分布和二维电子气层的电子密度分布的准三维模型及模拟方法,并将模拟结果与传统的Buttiker鞍型电势分布进行比较。结果表明,器件中的电势分布随结构和偏置对传统鞍型电势有所偏离,并讨论了栅极结构和外加偏压对电势分布影响的规律,对QPC传感器设计具有指导作用。Self-consistent solution of 3D passion-2D Schrodinger equation is applied to compute the distribution of the potential and the electronic density in the Quantum Point Contact （QPC） device. A comparison is made of the simulation results with the traditional saddle potential. The effect of the gate-structure and bias voltage on the saddle potential is found and discussed, which is of help in designing QPC sensors.

关 键 词：QPC 自洽模拟 三维泊松方程 电势分布 

分 类 号：TP391.9[自动化与计算机技术—计算机应用技术]