金属诱导横向结晶

作品数：7被引量：6H指数：1
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相关期刊：《微电子学》《半导体技术》《微电子学与计算机》《苏州大学学报（工科版）》更多>>
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耗尽区调制对氢化MILC Poly-Si TFT热产生漏电的影响
《微电子学与计算机》2011年第2期43-46,共4页朱臻 
研究了热载流子应力下耗尽区调制效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响.从理论上论证了热载流子应力下氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电中的耗尽区调制效应的存在.并利用正、反向测量模式,从实...
关键词：金属诱导横向结晶 多晶硅薄膜晶体管 热载流子应力 热产生漏电 耗尽区调制效应 
电场增强Ni诱导非晶硅横向结晶及其电迁移效应被引量：1
《微电子学》2009年第4期588-592,共5页王光伟 张建民 张平 许书云 
天津市高校科技发展基金资助项目(20060605)
在外加直流电场作用下,Ni诱导非晶硅(a-Si)薄膜发生横向结晶。影响Ni诱导a-Si薄膜横向结晶的因素有很多,如场强、反应以及退火条件等。适当强度的电场能显著加快Ni横向诱导a-Si结晶速率,当场强超过某一临界值,则该速率降低。基于电迁移...
关键词：金属诱导横向结晶 电场增强横向诱导结晶 扩散 固相反应 电迁移 晶粒生长 
非晶硅和非晶硅锗薄膜的金属诱导结晶被引量：1
《液晶与显示》2009年第3期356-366,共11页王光伟 张建民 倪晓昌 李莉 
天津市高校科技发展基金项目(No.20060605)
分析了金属Ni、Al诱导非晶Si及非晶SiGe薄膜结晶的条件、特点和机理。简要介绍了金属诱导结晶相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管中的应用。概述了影响诱导结晶速率和薄膜微结构的诸多因素,如热处理条件和外加电场等。对电...
关键词：金属诱导结晶 金属诱导横向结晶 固相反应 扩散 电场增强横向诱导结晶 成核激活能 晶粒生长 
外加电场对金属诱导非晶硅横向结晶的影响被引量：1
《半导体技术》2009年第2期107-112,共6页王光伟 
天津市高校科技发展基金项目(20060605)
综述了Al和Ni在外加直流电场以及Cu在交流电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理。研究了外加电场对金属诱导a-Si薄膜横向结晶的诸多影响因素,如场强及分布等。结果表明,相对于无电场时,适当强度的电场可显著加快金属诱...
关键词：金属诱导横向结晶 电场增强金属诱导横向结晶 扩散 固相反应 晶粒生长 交流电场 
电场增强金属Al和Ni诱导非晶硅横向结晶被引量：4
《真空科学与技术学报》2008年第4期325-330,共6页王光伟 张建民 
天津市高校科技发展基金项目(No.20060605)
本文分析了Al和Ni在外加电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理。对影响非晶硅结晶的诸多因素,如场强、金属种类和退火条件进行了研究。简要概述了金属诱导横向结晶(MILC)相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管(T...
关键词：金属诱导横向结晶 电场增强横向诱导结晶 扩散 固相反应 晶粒生长 
金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热载流子应力退化特性及模型研究
《苏州大学学报（工科版）》2007年第1期7-11,共5页朱臻 
国家自然科学基金项目(编号60406001)
低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)广泛应用于平板显示。从开态和关态两个方面,研究了热载流子(HC)应力下,N型金属诱导横向结晶(MILC)LTPS TFT器件退化特性及模型。
关键词：多晶硅薄膜晶体管 金属诱导横向结晶 热载流子退化 可靠性 开态特性 关态特性 
金属Ni诱导横向晶化Ge纳米点/Si多层异质薄膜的特性
《Journal of Semiconductors》2006年第4期712-716,共5页鄢波 张匡吉 施毅 濮林 韩平 张荣 郑有炓 
国家自然科学基金(批准号:60225014;60390074和60206001);国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA302740);国家重点基础研究发展计划(批准号:G2001CB3095)项目资助
研究了利用低压化学气相沉积(LPCVD)和金属诱导横向结晶技术制备高密度Ge/Si量子点多层异质结构.首先在SiO2/Si(100)衬底上LPCVD生长了高密度Ge/aSi量子点多层结构,然后在较低温度下(低于550℃),利用金属Ni诱导多层结构中的aSi层横向结...
关键词：Oe/Si量子点多层结构 低压化学气相沉积 金属诱导横向结晶 
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