热载流子应力

作品数：9被引量：2H指数：1
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耗尽区调制对氢化MILC Poly-Si TFT热产生漏电的影响
《微电子学与计算机》2011年第2期43-46,共4页朱臻 
研究了热载流子应力下耗尽区调制效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响.从理论上论证了热载流子应力下氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电中的耗尽区调制效应的存在.并利用正、反向测量模式,从实...
关键词：金属诱导横向结晶 多晶硅薄膜晶体管 热载流子应力 热产生漏电 耗尽区调制效应 
漏雪崩热载流子应力MOSFET的1/f噪声产生机理研究
《井冈山大学学报（自然科学版）》2010年第3期27-30,44,共5页刘宇安 
江西省自然科学基金项目(2009GQW0010);江西省教育厅科技计划项目(GJJ10203);井冈山大学2008年科研课题项目(JZ0804)
研究了DAHC(漏雪崩热载流子)应力下MOSFEF的1/f噪声特性。从各种热载流子与缺陷相互作用的角度,进一步研究了DAHC应力MOSFEF的1/f噪声产生机理,合理解释其作为器件最大损伤应力。基于噪声机理明确了DAHC应力下MOSFEF的1/f噪声模型中各...
关键词：MOSFEF 漏雪崩热载流子 1/f噪声 
DEMOS在热载流子应力下的混合失效模式
《半导体技术》2009年第9期881-885,共5页高超 叶景良 
研究了18V漏极延伸金属氧化物半导体场效应晶体管(DEMOS)在高栅极电压下的热载流子注入效应。实验观察到两种失效模式,分别是热空穴的注入效应和高栅压导致的阈值电压增大,发现其对器件损伤分别局限在漏极区域和沟道区域,对器件的性能...
关键词：漏极延伸金属氧化物半导体场效应晶体管 热载流子 热空穴 Kirk效应 
金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热载流子应力退化特性及模型研究
《苏州大学学报（工科版）》2007年第1期7-11,共5页朱臻 
国家自然科学基金项目(编号60406001)
低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)广泛应用于平板显示。从开态和关态两个方面,研究了热载流子(HC)应力下,N型金属诱导横向结晶(MILC)LTPS TFT器件退化特性及模型。
关键词：多晶硅薄膜晶体管 金属诱导横向结晶 热载流子退化 可靠性 开态特性 关态特性 
热载流子应力下n-MOSFET线性漏电流的退化被引量：1
《固体电子学研究与进展》2006年第1期20-24,48,共6页赵要 许铭真 谭长华 
国家基础研究项目(G2000036503)资助
研究了不同沟道和栅氧化层厚度的n-M O S器件在衬底正偏压的VG=VD/2热载流子应力下,由于衬底正偏压的不同对器件线性漏电流退化的影响。实验发现衬底正偏压对沟长0.135μm,栅氧化层厚度2.5 nm器件的线性漏电流退化的影响比沟长0.25μm,...
关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管 可靠性 热载流子效应 衬底正向偏置 
超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1390-1395,共6页杨林安 于春利 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:60376024);国家高科技研究发展计划(批准号:2003AA1Z1630)资助项目~~
通过对采用0.18μmCMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现,短沟薄栅氧LDDnMOSFET(Lg=0.18μm,Tox=3.2nm)在沟道热载流子(CHC)应力下的器件寿命比在漏雪崩热载流子(DAHC)应力下的器件寿命要短,这与通常...
关键词：LDD NMOSFET 热载流子退化 沟道热载流子应力 漏雪崩热载流子应力 幸运电子模型 
热载流子应力对0.18μm技术NMOSFET和电路RF性能的影响
《电子产品可靠性与环境试验》2003年第3期78-78,共1页
关键词：热载流子 应力 0.18μm技术 NMOSFET 电路RF性能 低噪声放大器 
热载流子应力感应n-MOSFETsGIDL特性退化的机理
《Journal of Semiconductors》1999年第12期1087-1092,共6页徐静平 黎沛涛 
香港大学RGC和CRCG基金
对不同栅氧化物ｎ－ＭＯＳＦＥＴｓ 的ＧＩＤＬ（Ｇａｔｅ－Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄｒａｉｎ Ｌｅａｋａｇｅ）特性在不同热载流子应力下的退化行为进行了研究．发现ＧＩＤＬ的漂移对栅电压十分敏感，在ＶＧ＝ ０．５ＶＤ 的应力条件下呈现...
关键词：N-MOSFETS GIDL 热载流子应力 退化 
AC热载流子应力下nMOSFET’s的退变研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1999年第1期79-82,共4页张炯 李瑞伟 张文良 
国家"九五"计划的攻关项目
本文研究了固定漏电压、栅脉冲ＡＣ应力条件下ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件特性的退化情况．不同高低电平栅脉冲的应力实验结果表明，ＡＣ热载流子应力条件下器件特性的退化与栅脉冲高低电平的覆盖的范围密切相关．ＡＣ应力条件下器件退化是...
关键词：IC nMOSFET's 热载流子效应 退变效应 可靠性 
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