AC热载流子应力下nMOSFET’s的退变研究  

Degradation of nMOSFET’s Under AC Hot Carrier Stress

作　　者：张炯[1] 李瑞伟[1] 张文良[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第1期79-82,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家"九五"计划的攻关项目

摘　　要：本文研究了固定漏电压、栅脉冲ＡＣ应力条件下ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件特性的退化情况．不同高低电平栅脉冲的应力实验结果表明，ＡＣ热载流子应力条件下器件特性的退化与栅脉冲高低电平的覆盖的范围密切相关．ＡＣ应力条件下器件退化是否增强，取决于ＡＣ应力过程是否经历了不同模式的ＤＣ应力．Abstract The degradation behavior of NMOS having suffered AC hot carrier stress has been discussed. It is shown that the degradation is dependent on the scale of the pulsed gate voltage, while it seems no close relation to the rise/fall times of the gate pulse.

关 键 词：IC nMOSFET's 热载流子效应 退变效应 可靠性 

分 类 号：TN406[电子电信—微电子学与固体电子学]