张炯

作品数：5被引量：9H指数：2
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供职机构：清华大学更多>>
发文主题：NMOSFETS热载流子热载流子效应NMOSFET亚微米更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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N-掺杂浓度对小尺寸nMOSFETs热载流子寿命的影响被引量：3
《Journal of Semiconductors》2000年第5期469-472,共4页张炯 李瑞伟 
国家"八五"和"九五"计划资助项目
从模拟和试验二方面对 N- 区的结构参数影响器件可靠性的规律进行了细致的研究 .考虑到工艺条件 ,主要讨论 N-区的掺杂浓度 ( NN- )的变化对器件可靠性的影响 .通过模拟和从实际工作中得到的结果 ,对于 0 .35— 1 .2μm器件 ,我们将 N-...
关键词：热载流子 寿命 NMOSFETS N^-掺杂浓度 
AC热载流子应力下nMOSFET’s的退变研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1999年第1期79-82,共4页张炯 李瑞伟 张文良 
国家"九五"计划的攻关项目
本文研究了固定漏电压、栅脉冲ＡＣ应力条件下ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件特性的退化情况．不同高低电平栅脉冲的应力实验结果表明，ＡＣ热载流子应力条件下器件特性的退化与栅脉冲高低电平的覆盖的范围密切相关．ＡＣ应力条件下器件退化是...
关键词：IC nMOSFET's 热载流子效应 退变效应 可靠性 
nMOSFET’s界面对热空穴俘获率的研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1998年第5期369-373,共5页张炯 吴正立 李瑞伟 
国家"八五"攻关项目;"九五"攻关项目
本文中，我们利用ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件反向关态电流对器件的热空穴的俘获率（我们定义它为在一个热载流子应力过程中界面俘获的空穴量）进行了初步的探讨．结果表明，热空穴的俘获率随应力时间呈对数增长；与漏附近栅氧中的纵向电场...
关键词：MOS 集成电路 热载流子效应 
不同偏置电压下SiGe HBT Early电压的理论研究被引量：3
《Journal of Semiconductors》1998年第4期261-266,共6页钱伟 金晓军 张炯 林惠旺 陈培毅 钱佩信 
Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ和直流增益β是双极器件在模拟电路中应用的重要参数，本文研究了在器件不发生大注入效应和雪崩倍增效应的条件下，ＳｉＧｅＨＢＴ中基区Ｇｅ含量以及ＶＣＥ对器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ的影响，并用数值计算的方法得...
关键词：锗化硅 HBT 应变层 Early电压 
反向关态电流在热载流子蜕变效应研究中的应用被引量：1
《Journal of Semiconductors》1998年第4期287-290,共4页张炯 李瑞伟 钱伟 
国家"八五"和"九五"计划项目
本文研究了ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件的反向关态电流（Ｉｏｆｒ）特性．我们发现，刚受过热载流子应力的器件Ｉｏｆｒ呈现一个突然的增高，而在随后的一段时间里（我们定义其为弛豫时间）又呈指数下降，这一现象是由于在热载流子应力过程...
关键词：IC NMOSFET 反向关态电流 热载子蜕效应 
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