nMOSFET’s界面对热空穴俘获率的研究  

Research on Trapping of Injected Hot Hole

作　　者：张炯[1] 吴正立[1] 李瑞伟[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1998年第5期369-373,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家"八五"攻关项目;"九五"攻关项目

摘　　要：本文中，我们利用ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件反向关态电流对器件的热空穴的俘获率（我们定义它为在一个热载流子应力过程中界面俘获的空穴量）进行了初步的探讨．结果表明，热空穴的俘获率随应力时间呈对数增长；与漏附近栅氧中的纵向电场有直接的关系；与热空穴的注入效率没有明显的联系．Abstract The trapping of injected hot hole in nMOSFET’s has been studied by using off state current in reverse mode( I offr ). It is shown that the number of trapped hole at Si SiO 2 interface: (1) increase in logarithmic relation with the hot carrier stress time; (2) is mainly determined by the longitudinal electrical field in gate oxide; (3) has no close relation with the injection efficiency of the hot hole.

关 键 词：MOS 集成电路 热载流子效应 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]