金晓军

作品数:8被引量:15H指数:2
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供职机构:清华大学更多>>
发文主题:SIGE_HBT双极晶体管流体力学锗化硅GESI更多>>
发文领域:电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
发文期刊:《清华大学学报(自然科学版)》《应用基础与工程科学学报》《电子学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金:国家自然科学基金“九五”国家科技攻关计划更多>>
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Si_1-xGe_x/Si超高真空化学气相外延工艺的研究
《清华大学学报(自然科学版)》1999年第S1期83-85,共3页金晓军 贾宏勇 张进书 钱伟 韩勇 刘荣华 林惠旺 陈培毅 钱佩信 
国家"九五"科技攻关项目
为了研制出高性能的Si1-xGex/Si异质结器件,生长出适合器件应用的应变Si1-xGex材料,利用自行研制的超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)设备,研究了Si1-xGex生长速度以及组份随GeH4流量的变化规...
关键词:超高真空(UHV) 化学气相沉积(CVD) 硅锗固熔体 硅锗器件 
900MHz SiGe异质结双极晶体管的功率特性被引量:4
《Journal of Semiconductors》1999年第4期284-286,共3页张进书 金晓军 贾宏勇 陈培毅 钱佩信 罗台秦 杨增敏 黄杰 梁春广 
本文对用准泡发射区基区工艺制备的SiGe异质结双极晶体管进行了微波功率性能的研究.SiGeHBT在偏置电压VCE=4V和偏置电流Ic=300mA时截止频率fT=7.5GHz.在共射结构C类工作状态下,SiGe异质结双...
关键词:双极晶体管 功率特性 异质结 
SiGe HBT中雪崩击穿效应对电流电压特性的影响被引量:1
《电子学报》1998年第8期120-122,138,共4页钱伟 金晓军 张进书 陈培毅 林惠胜 钱佩信 
国家自然科学基金
本文分析和计算了基区不同Ge含量的器件在碰撞电离和雪崩击穿效应下的电流和电压特性,结果表明,在其它参数相同的条件下,基区Ge含量越高的器件,虽然直流增益得到很大提高,但伴随着器件更容易发生载流子碰撞电离引起的基极电流反向...
关键词:异质结构 双极晶体管 雪崩击穿 锗化硅合金 
超高真空化学气相淀积法生长的n-Si/i-p^+-i SiGe/n-Si结构的透射电镜和二次离子质谱分析被引量:1
《Journal of Semiconductors》1998年第5期394-396,共3页张进书 金晓军 钱佩信 罗台秦 
本文用透射电镜(XTEM)和二次离子质谱(SIMS)分析了由超高真空化学气相淀积法(UHVCVD)生长的n-Si/i-p+-iSiGe/n-Si结构,发现在硅上外延生长i-p+-iSiGe时,在靠近Si的i/p+Si...
关键词:UHVCVD  外延生长 锗化硅 
不同偏置电压下SiGe HBT Early电压的理论研究被引量:3
《Journal of Semiconductors》1998年第4期261-266,共6页钱伟 金晓军 张炯 林惠旺 陈培毅 钱佩信 
Early电压VA和直流增益β是双极器件在模拟电路中应用的重要参数,本文研究了在器件不发生大注入效应和雪崩倍增效应的条件下,SiGeHBT中基区Ge含量以及VCE对器件的Early电压VA的影响,并用数值计算的方法得...
关键词:锗化硅 HBT 应变层 Early电压 
Ge_xSi_(1-x)减压化学气相外延过程的流体力学和表面反应动力学分析被引量:1
《电子学报》1997年第8期14-17,共4页金晓军 梁骏吾 
结合流体力学和表面反应动力学分析了SiH2Cl2+GeH4+H2减压化学气相外延系统.计算和讨论了由于生长压力的变化而导致的反应管内速度分布、温度分析和反应气体浓度分布的变化.计算了生长温度为700℃时,GeSi外延...
关键词:化学气相外延 流体力学 表面反应动力学 半导体 
GeSi CVD系统的流体力学和表面反应动力学模型被引量:3
《电子学报》1996年第5期7-12,共6页金晓军 梁骏吾 
本文首次提出了一个用以分析GexSi1-x合金CVD生长的流体力学和表面反应动力学的统一模型,利用流体力学的偏微分方程组计算了反应管内的速度场、温度场和浓度场。讨论了反应管中的质量传输对生长速度的影响和生长过程中锗和...
关键词:化学气相外延 外延生长 半导体材料 硅化锗 
InP-H_2-KBH_4体系中磷的热力学分析、检测及治理被引量:2
《应用基础与工程科学学报》1994年第4期282-287,共6页闻瑞梅 陈朗星 金晓军 
用热力学计算了InP-H_2-KBH_4体系中磷的组分与温度的关系,从理论上探讨了用气相色谱分析固相中磷的可能性。建立了不经化学预处理,用气相色谱直接测定固、液、气相样品中的磷及其磷化物的方法,测定结果与分光光度法基本一致。用逆向喷...
关键词:热力学计算  气相色谱 治理 
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