SiGe HBT中雪崩击穿效应对电流电压特性的影响  

The Avalanche Effects on Current and Voltage Characteristics in SiGe HBT

作　　者：钱伟[1] 金晓军[1] 张进书 陈培毅[1] 林惠胜 钱佩信[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子所,北京100084

出　　处：《电子学报》1998年第8期120-122,138,共4页Acta Electronica Sinica

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文分析和计算了基区不同Ge含量的器件在碰撞电离和雪崩击穿效应下的电流和电压特性，结果表明，在其它参数相同的条件下，基区Ge含量越高的器件，虽然直流增益得到很大提高，但伴随着器件更容易发生载流子碰撞电离引起的基极电流反向和大注入下的基区push-out效应，同时器件共射击穿电压BVCEO也会大大的降低．由于在不同的电路中对器件的性能要求是不同的。In this paper, we analyse the current and voltage changes in SiGe HBT with various Ge contens in base by considering the impact ionization and avalanche breakdown effects. It shows that with the increase of Ge content in base, the base current reversal and base puse-out are easier to occur, and the common-emitter breakdown voltnge BVCEO is lower, too. Therefore, the design rules are different for SiGe HBT with different purposes. The results of this paper are usful for the design of SiGe HBT used in different analog integred circuits.

关 键 词：异质结构 双极晶体管 雪崩击穿 锗化硅合金 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]