Ge_xSi_（1－x）减压化学气相外延过程的流体力学和表面反应动力学分析  

A Kinetics and fluid-Dynamics Analysis of Ge_xSi_(1-x)Low Pressure Chemical Vapor Epitaxy

作　　者：金晓军[1] 梁骏吾[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子所,中国科学院半导体所

出　　处：《电子学报》1997年第8期14-17,共4页Acta Electronica Sinica

摘　　要：结合流体力学和表面反应动力学分析了ＳｉＨ２Ｃｌ２＋ＧｅＨ４＋Ｈ２减压化学气相外延系统．计算和讨论了由于生长压力的变化而导致的反应管内速度分布、温度分析和反应气体浓度分布的变化．计算了生长温度为７００℃时，ＧｅＳｉ外延层中Ｓｔ、Ｇｅ和ＧｅｘＳｉ１－ｘ生长速度与初始ＧｅＨ４流量的关系．从理论上解释了ＧｅｘＳｉ１－ｘ生长速度随ＧｅＨ４流量的变化关系，并与Ｐ．Ｍ．Ｇａｒｏｎｅ等人的实验结果进行了比较．

关 键 词：化学气相外延 流体力学 表面反应动力学 半导体 

分 类 号：TN304.052[电子电信—物理电子学]