900MHz SiGe异质结双极晶体管的功率特性  

Power Characteristics of SiGe Heterojunction Bipolar Transistor at 900MHz

作　　者：张进书[1] 金晓军[1] 贾宏勇[1] 陈培毅[1] 钱佩信[1] 罗台秦[2] 杨增敏 黄杰 梁春广 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所 [2]香港科技大学电机与电子工程系香港

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第4期284-286,共3页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文对用准泡发射区基区工艺制备的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管进行了微波功率性能的研究．ＳｉＧｅＨＢＴ在偏置电压ＶＣＥ＝４Ｖ和偏置电流Ｉｃ＝３００ｍＡ时截止频率ｆＴ＝７．５ＧＨｚ．在共射结构Ｃ类工作状态下，ＳｉＧｅ异质结双极晶体管工作在９００ＭＨｚ时，连续波输出功率为５Ｗ，集电极转化效率为６３％，功率增益为７．４ｄＢ．Abstract The microwave power performance of the SiGe heterojunction bipolar transistor fabricated by quasi washed emitter base process, is investigated. The cutoff frequency of the SiGe HBT is 7 5GHz at collector emitter voltage V CE of 4V and collector current I c of 300mA. In common emitter configuration and class C operation, the SiGe heterojunction bipolar transistor with continuous wave output power of 5W and collector conversion efficiency of 63% and power gain of 7 4dB is obtained at frequency of 900MHz.

关 键 词：双极晶体管 功率特性 异质结 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]