不同偏置电压下SiGe HBT Early电压的理论研究  

Study on Early Voltage of SiGe HBT at Different Bias

作　　者：钱伟[1] 金晓军[1] 张炯[1] 林惠旺[1] 陈培毅[1] 钱佩信[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1998年第4期261-266,共6页半导体学报（英文版）

摘　　要：Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ和直流增益β是双极器件在模拟电路中应用的重要参数，本文研究了在器件不发生大注入效应和雪崩倍增效应的条件下，ＳｉＧｅＨＢＴ中基区Ｇｅ含量以及ＶＣＥ对器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ的影响，并用数值计算的方法得到了在其它参数相同的情况下，器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ随基区中Ｇｅ含量和偏置电压ＶＣＥ的变化规律，表明Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ是随ＶＣＥ和Ｇｅ含量的增加而增加的．这些结果对ＳｉＧｅＨＢＴ在模拟集成电路中的设计和应用提供了指导．Abstract The effects of device bias V CE and Ge content in SiGe base on Early voltage of Si 1- x Ge x HBT are studied by numerical analysis without considering the influence of high level injection effect and impact ionization of carriers. With other parameters unchanged, Early voltage V A and current gain β of SiGe HBT increase with the increase of device bias V CE and Ge content in base. The results are useful for the design of SiGe HBT used in analog integrated circuit.

关 键 词：锗化硅 HBT 应变层 Early电压 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学]