热载流子应力对0.18μm技术NMOSFET和电路RF性能的影响  

出　　处：《电子产品可靠性与环境试验》2003年第3期78-78,共1页Electronic Product Reliability and Environmental Testing

关 键 词：热载流子 应力 0.18μm技术 NMOSFET 电路RF性能 低噪声放大器 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]