云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 于春利

于春利: 作品数：12被引量：16H指数：2; 导出分析报告; 供职机构：西安电子科技大学更多>>; 发文主题：LDDMOSFETMESFET碳化硅场效应晶体管更多>>; 发文领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>; 发文期刊：《电子学报》《计算物理》《微电子学与计算机》《物理学报》更多>>; 所获基金：国防科技技术预先研究基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划总装备部“十一五”国防预研项目更多>>

超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应: 《Journal of Semiconductors》2005年第7期1390-1395,共6页杨林安于春利郝跃; 国家自然科学基金(批准号:60376024);国家高科技研究发展计划(批准号:2003AA1Z1630)资助项目~~; 通过对采用0.18μmCMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现,短沟薄栅氧LDDnMOSFET(Lg=0.18μm,Tox=3.2nm)在沟道热载流子(CHC)应力下的器件寿命比在漏雪崩热载流子(DAHC)应力下的器件寿命要短,这与通常...; 关键词：LDD NMOSFET 热载流子退化沟道热载流子应力漏雪崩热载流子应力幸运电子模型

A Novel Technique of Parameter Extraction for Short Channel Length LDD MOSFETs: 《Journal of Semiconductors》2004年第10期1215-1220,共6页于春利郝跃杨林安; 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 2 0 60 0 6)~~; A novel parameter extraction technique suitable f or short channel length lightly-doped-drain (LDD) MOSFET's is proposed which seg ments the total gate bias range,and executes the linear regression in every subs ecti...; 关键词：LDD MOSFET parameter extraction parasitic se ries resistance MOBILITY

An Improved Description of Characteristics Length in Substrate Current Model for Submicron and Deep-Submicron LDD MOSFET's: 《Journal of Semiconductors》2004年第9期1084-1090,共7页于春利杨林安郝跃; 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 2 0 60 0 6)~~; A novel substrate current model is proposed for submicron and deep-submicron li ghtly-doped-drain (LDD) n-MOSFET,with the emphasis on accurate description of the characteristics length by taking the effects of channe...; 关键词：LDD MOSFET substra te current characteristics length maximum lateral electric field

A Novel Empirical Model of I-V Characteristics for LDD MOSFET Including Substrate Current: 《Journal of Semiconductors》2004年第7期778-783,共6页于春利郝跃杨林安; 国防重大预研基金资助项目 (批准号 :8.5 .4.3 )~~; A compact model for LDD MOSFET is proposed,which involves the hyperbolic tangent function description and the physics of device with emphasis on the substrate current modeling.The simulation results demonstrate good ...; 关键词：LDD MOSFET substrate current hot carrier effect deep submicron

Effect of High Temperature Annealing on Characteristics of 4H Silicon Carbide MESFET被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2004年第5期486-491,共6页杨林安张义门于春利张玉明陈刚黄念宁; 国防科技预研基金资助项目 (批准号 :8.1.7.3 )~~; For very high temperature annealing (1620℃) after ion implantation for 4H silicon carbide (4H SiC),the residual components of Al and O in the alundum furnace impact seriously on the surface of material,which yields ...; 关键词：silicon carbide ANNEALING surface composition analysis ohmic contact I-V characteristics

表面态对碳化硅功率金-半场效应管特性的影响被引量：1: 《计算物理》2003年第5期418-422,共5页杨林安张义门于春利杨永民张玉明; 国防科技预研基金(No.8.1.7.3)资助项目; 　分析了4H-SiC射频功率MESFET栅源和栅漏区域内的表面态形成,建立了包含表面态影响的非线性解析模型,理论描述了对器件输出特性的稳态、瞬态响应.本模型具有计算简单、物理概念清晰的特点.; 关键词：碳化硅功率金属—半导体场效应晶体管表面态钝化非线性解析模型输出特性栅源栅漏稳态响应瞬态响应

SiC功率金属-半导体场效应管的陷阱效应模型被引量：2: 《物理学报》2003年第2期302-306,共5页杨林安张义门于春利张玉明; 国防科技预研基金 (批准号 :8 1 7 3 )资助的课题~~; 针对 4H SiC射频大功率MESFET ,建立了一个解析的陷阱效应模型 ,该模型采用简化参数描述方法 ,并结合自热效应分析 ,从理论上完善了SiCMESFET大信号直流I V特性的解析模型 ,且避免了数值方法模拟陷阱效应的巨大计算量 .; 关键词：SIC 碳化硅陷阱效应模型金属-半导体场效应晶体管深能级陷阱界面态

SiC MESFET的大信号电容解析模型被引量：1: 《电子学报》2002年第2期229-231,共3页杨林安于春利张义门张玉明; 总装国防预研基金 (No .8 1 7 3); 考虑 4H SiC常温下不完全离化和高饱和电子漂移速度的特点 ,采用载流子速度饱和理论和电荷控制理论 ,结合双曲正切函数的描述方法 ,导出了适用于 4H SiCMESFET在射频功率应用时的大信号电容解析模型 ,其模拟结果与实验值有很好的一致性 ...; 关键词：碳化硅金属半导体场效应晶体管电容解析模型

AV系统数字调谐PLL频率合成器的单片机控制: 《微电子学与计算机》2002年第1期38-39,43,共3页于春利杨林安; 文章利用LC7218PLL频率合成器在AV领域的电调谐功能,提出了一个TV/FM/AM全景接收机设计方案,重点设计分析了LC7218与单片机之间的I/O数据结构,显示了它优良的性能。; 关键词：频率合成器单片机控制 AV系统数字调谐 PLL

4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型被引量：11: 《Journal of Semiconductors》2001年第9期1160-1164,共5页杨林安张义门吕红亮张玉明于春利; 国防预研基金资助项目 ( 8.1.7.3)~~; 根据 4H - Si C高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点 ,对适用于 Si和 Ga As MESFET的直流I- V特性理论进行了分析与修正 .采用高场下载流子速度饱和理论 ,以双曲正切函数作为表征 I- V特性的函数关系 ,建立了室温条件下 4H ...; 关键词：碳化硅 4H-SIC 射频功率 MESFET 非线性大信号模型直流I-V特性场效应晶体管

于春利