表面态对碳化硅功率金-半场效应管特性的影响  

Surface-state Effects on Silicon Carbide Power MESFET's

作　　者：杨林安[1] 张义门[1] 于春利[1] 杨永民[2] 张玉明[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,陕西西安710071 [2]西北工业大学微波教研室,陕西西安710072

出　　处：《计算物理》2003年第5期418-422,共5页Chinese Journal of Computational Physics

基　　金：国防科技预研基金(No.8.1.7.3)资助项目

摘　　要：　分析了4H-SiC射频功率MESFET栅源和栅漏区域内的表面态形成,建立了包含表面态影响的非线性解析模型,理论描述了对器件输出特性的稳态、瞬态响应.本模型具有计算简单、物理概念清晰的特点.An analytical non\|linear model including surface\|state effect is proposed for 4H\|SiC power MESFET's with which the impact of suface damage at the ungate recess region caused by the dry\|etching process on the output steady\|state characterization can be illustrated clearly.The model has the advantage in very simple calculations over the 2D numerical simulations, therefore suitable for process analysis of SiC power MESFET's.

关 键 词：碳化硅功率金属—半导体场效应晶体管 表面态 钝化 非线性解析模型 输出特性 栅源 栅漏 稳态响应 瞬态响应 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]