金属半导体

作品数：62被引量：42H指数：3
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基于各向异性导电膜的射频SP8T开关无损测试
《半导体技术》2024年第1期97-102,共6页睢林 曹咏弘 王耀利 张凯旗 张翀 程亚昊 
为了解决射频器件无损测试的难点,基于各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构,设计并实现了射频器件无损测试技术。针对表面贴装式GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)单刀八掷(SP8T)开关,该测试技术使用ACF-Z轴连接结构实现器件与测试板的...
关键词：射频器件 无损测试 各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构 GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET) 单刀八掷(SP8T)开关 插入损耗 
基于金属半导体复合材料的可见光催化研究进展被引量：1
《中国金属通报》2022年第23期7-9,共3页尹泽 刘愿强 高爱舫 
河北省教育厅科学技术研究项目资助(QN2021029);河北省高校基本科研业务费资助(QN202120)。
文章基于金属半导体的可见光催化技术,在去除大气环境污染物方面的相关研究中,对研究进展进行了综述。金属半导体光催化材料,包括:TiO_(2)、Bi_(2)O_(3)、InMO_(4)、钛酸铋复合基材料等,半导体光催化技术作为一种环保的新技术,在降解污...
关键词：金属复合材料 可见光催化 研究进展 
超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展(续)被引量：1
《半导体技术》2021年第2期81-103,共23页赵正平 
3功率晶体管与逻辑电路金刚石晶体管在功率电子学和微波电子学两大领域均有进展。在功率电子学领域向高击穿电压、高击穿场强、高温工作、低导通电阻、高开关速率和常关器件的方向发展。金刚石晶体管以各类FET为主,包括金属半导体场效...
关键词：金属半导体场效应晶体管 功率电子学 宽禁带半导体 功率晶体管 二维空穴气 低导通电阻 微波电子学 逻辑电路 
双凹型谐振腔结构的金属半导体纳米激光器的数值仿真被引量：1
《物理学报》2019年第22期286-293,共8页张柏富 朱康 武恒 胡海峰 沈哲 许吉 
国家自然科学基金(批准号:61604073,61805119,11404170);江苏省自然科学基金(批准号:BK20160839,BK20180469)资助的课题~~
近年来,金属半导体纳米激光器作为超小尺寸的光源被广泛地研究,其在光子集成回路、片上光互连、光通信等领域具有潜在的应用价值.随着谐振腔体积的减小,激光器损耗也迅速增加,这阻碍了激光器进一步的小型化.本文提出一种基于双凹型谐振...
关键词：半导体激光器 微腔 表面等离激元 
金属氧化物半导体气敏传感器专利技术综述被引量：2
《技术与市场》2019年第2期177-177,共1页王旭昭 王萌 
金属氧化物半导体气敏传感器是现今应用最广、研究最充分的气体传感器领域之一。本文通过专利技术的角度出发,对国内外该专利技术文献进行了统计分析,研究了金属氧化物半导体气体传感器领域的专利申请量、申请时间、申请人的分布特点。
关键词：金属半导体 气敏 专利 
金属半导体纳米粒子对水培水稻幼苗的毒性及吸收转运规律被引量：2
《环境科学学报》2017年第1期395-404,共10页郭敏 龚继来 曾光明 
湖南大学交叉学科项目(No.531107040761);国家自然科学基金(No.51579095)~~
金属半导体纳米粒子由于其独特的理化性质被广泛应用于工业生产和科学研究,而遗留在水环境中的金属半导体纳米粒子对植物的危害程度和累积水平还有待研究和完善.本文以水稻为实验对象,通过水培试验研究了氧化铜纳米粒子(CuONPs)、氧化...
关键词：金属半导体纳米粒子 水稻幼苗 植物毒性 吸收 生物转运 
晶体管微波大信号模型的研究
《科技经济导刊》2016年第29期30-,共1页陈辉 
在微波功率器件中,晶体管微波大信号的研究,一直是人们关注的问题。本文就对GaAsHEMT大信号进行研究。首先建立了GaAsHEMT的大信号等效电路模型,对其中最重要的非线性元件Ids、Cgs、Cgd建立了理论模型,进行了模拟结果与实验数据的比较,...
关键词：砷化镓 模型 金属半导体场效应管 
单原子厚度硼墨烯“出生”
《电子元件与材料》2016年第2期55-55,共1页
美国能源部阿贡国家实验室、西北大学和纽约州立大学石溪分校的科学家首次创造出二维的硼,这种材料只有单个原子厚度,被称为＂硼墨烯＂。相关研究发表在12月18日出版的《科学》杂志上。科学家一直感兴趣这种单层二维材料的独特属性,特...
关键词：单原子 厚度 硼 二维材料 《科学》杂志 国家实验室 美国能源部 金属半导体 
4H-SiC MESFET新结构的特性研究被引量：2
《微电子学》2015年第3期404-407,共4页彭沛 陈勇 
提出了一种具有阶梯沟道和浮空金属板的新型4H-SiC MESFET结构。在双凹型4HSiC MESFET的栅漏之间加入浮空金属板,并引入阶梯沟道,减少了靠近漏端的栅边缘的电场积聚,提高了击穿电压。对提出的结构进行二维数值模拟,结果表明,该结构的击...
关键词：4H-SIC 金属半导体场效应晶体管 击穿电压 
水泥可以转化为半导体用于ipad等产品
《建材发展导向》2015年第4期78-78,共1页
美国伊利诺伊州阿贡国家实验室和日本国家同步辐射研究中心科学家称，研究出一种能够将水泥变成液态金属半导体的新方法。他们可以让建筑材料变成一种半导体，并制作成电脑芯片，甚至是屏幕和防护涂层。美国能源部Argonne国家实验室的...
关键词：金属半导体 水泥材料 ARGONNE国家实验室 IPAD 转化 同步辐射研究中心 建筑材料 美国能源部 
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