云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 张新

张新: 作品数：12被引量：24H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：西安理工大学更多>>; 发文主题：SOI自加热效应全耗尽SOI器件排水沟更多>>; 发文领域：电子电信自动化与计算机技术理学农业科学更多>>; 发文期刊：《仪器仪表学报》《集成电路通讯》《电子器件》《西安理工大学学报》更多>>; 所获基金：陕西省教育厅科研计划项目更多>>

SOI器件高温环境实验智能控制系统: 《仪器仪表学报》2007年第3期529-533,共5页张新王峙卫高勇安涛刘梦新; 本文介绍了基于总线集成控制技术设计的SOI器件高温环境实验装置的智能控制系统。该系统集信号检测、实时全程监控、自动记录及故障报警等功能于一体,完全满足SOI器件对高温环境实验的要求。实验表明,经过该系统测试后的产品性能,在可...; 关键词：SOI器件高温环境实验动态监控总线

SOICMOS Integrated Circuit of Laser Range Finding Working at High Temperatures: 《Journal of Semiconductors》2007年第2期159-165,共7页高勇张新刘梦新安涛刘善喜马立国; Modeling analysis of thin fully depleted SOICMOS technology has been done. Using ISETCAD software,the high temperature characteristics of an SOICMOS transistor were simulated in the temperature range of from 300 to 60...; 关键词：silicon on insulator high temperature characteristics TRANSISTOR thin fully depleted

改善SOICMOS集成电路高温性能的研究: 《集成电路通讯》2006年第4期1-6,共6页张新高勇安涛刘梦新; 介绍了SOI材料结构技术用于高温电路的优势,分析了影响高温性能的物理效应和结构因素。为实现良好的高温性能,提出了沟道下用氮化铝作埋层以替代常规二氧化硅埋层的SOI器件新结构,并和以二氧化硅为埋层结构的器件特性进行了对比,对它们...; 关键词：绝缘层上的硅结构 CMOS电路高温性能

实现高温工作的SOI器件埋层结构研究被引量：2: 《兵器材料科学与工程》2006年第5期23-27,共5页张新高勇刘梦新安涛王彩琳邢昆山; 硅基集成电路不能胜任高温工作环境,其高温工作上限一般为125℃。而基于SOI材料及其结构的器件,能突破高温的限制。介绍了SOI材料结构技术用于高温电路的优势,分析了影响高温性能的自加热效应。为实现良好的高温性能,比较了几种不同的...; 关键词：SOI 埋层结构自加热效应高温特性

基于等效电容法对SOI器件自加热效应研究被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2006年第4期450-455,共6页高勇张新刘梦新安涛王彩琳邢昆山; 针对目前常规SOI器件高温特性存在的问题,提出了采用等效电容法分析器件自加热效应的新观点,对抑制自加热效应原理进行了新的解析,根据埋层材料的介电常数不同,按等效电容法进行埋层厚度折算。在此基础上,提出了SOI器件的埋层新结构,并...; 关键词：绝缘体上的硅埋层结构自加热效应介电常数高温特性

薄膜全耗尽SOI CMOS电路高温特性模拟和结构优化被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2006年第6期1120-1124,共5页刘梦新高勇张新王彩琳杨媛; 在300～600K温度范围内,利用ISETCAD模拟软件对全耗尽SOI电路的温度特性进行了模拟分析,得到了较全面的SOICMOS倒相器静态特性和瞬态特性,并提出了一种改进的AlN DSOI结构.结果显示,SOICMOS电路的阈值电压对温度较为敏感,随着温度的升高...; 关键词：全耗尽自加热效应高温瞬态特性 DSOI 互补金属-氧化物-半导体倒相器

基于全耗尽技术的SOI CMOS集成电路研究被引量：2: 《电子器件》2006年第2期325-329,共5页张新刘梦新高勇洪德杰王彩琳邢昆山; 介绍了电路的工作原理,对主要的延迟和选通控制单元及整体电路进行了模拟仿真,证明电路逻辑功能达到设计要求。根据电路的性能特点,采用绝缘体上硅结构,选用薄膜全耗尽SOICMOS工艺进行试制。测试结果表明:与同类体硅电路相比,工作频率...; 关键词：全耗尽 SOI CMOS LDD结构 LDS结构脉冲测定

PSD光电位置传感器的实现及SOI结构研究被引量：5: 《西安理工大学学报》2005年第3期236-240,共5页张新高勇安涛王彩琳; 分析了高灵敏度光电位置传感器(PSD)的设计和工艺制作过程,给出了器件制作工艺流程.对制作的器件进行了参数测试,测试结果为:响应波长为600～1200nm,峰值响应波长为760nm,位置分辨能力为5 μm,位置探测误差为±50 μm,暗电流为1.4×10-1...; 关键词：光电位置传感器电极灵敏度位置分辨率工艺线性度 SOI

硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展被引量：3: 《电子器件》2005年第4期945-948,957,共5页王彩琳高勇张新; 陕西省教育厅专项科研计划项目;其编号为04JK245; 综述了硅直接键合(SDB)技术在绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶闸管(SITH)及MOS控制可关断晶闸管(MTO)等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管...; 关键词：硅直接键合电力电子器件集成门极换流晶闸管集成门极双晶体管 MOS控制可关断晶闸管

基于SOI材料的兵器微电子技术应用分析被引量：1: 《兵器材料科学与工程》2005年第3期48-53,共6页张新高勇王彩琳邢昆山安涛; 随着集成技术进入亚微米阶段,传统的硅基集成电路由于存在闩锁等不利因素,使其应用受到了限制。而基于SOI材料的微电子技术是能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术,是国际半导体的前沿技术之一,是发展兵器装备用元器件的又一关键材料...; 关键词：SOI材料 SOI结构兵器微电子半导体集成电路

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