改善SOICMOS集成电路高温性能的研究  

作　　者：张新[1] 高勇[1] 安涛[1] 刘梦新[1] 

机构地区：[1]西安理工大学

出　　处：《集成电路通讯》2006年第4期1-6,共6页

摘　　要：介绍了SOI材料结构技术用于高温电路的优势,分析了影响高温性能的物理效应和结构因素。为实现良好的高温性能,提出了沟道下用氮化铝作埋层以替代常规二氧化硅埋层的SOI器件新结构,并和以二氧化硅为埋层结构的器件特性进行了对比,对它们高温输出性能和沟道内晶格温度进行了研究分析,得出了具有指导意义的分析结果。

关 键 词：绝缘层上的硅结构 CMOS电路 高温性能 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]