LDD结构GaN HEMT器件制备工艺流程介绍  

作　　者：李可欣 陈冲 侯佳琳 周杨鹏 何佳旺 

机构地区：[1]吉林建筑大学

出　　处：《经济技术协作信息》2021年第14期125-125,共1页

基　　金：吉林建筑大学大学生创新创业项目《LDD结构GaN HEMT转移特性分析》资助。

摘　　要：完整的LDD GaN HEMT器件制作过程主要分为GaN材料生长和器件制作两个主要部分,由于自然界中没有天然的GaN材料,目前大多数GaN材料采用MOCVD以及HPVE方法进行生长。GaN材料的生长质量和器件的制备工艺共同决定了LDD GaN HEMT器件的性能,本文我们重点介绍LDD GaN HEMT器件的制备工艺。一、LDD GaN HEMT器件基本结构目前,LDD GaN HEMT结构主要由以下六个部分组成,从下至上分别为第一层、蓝宝石或者SiC衬底,第二层、AlN成核层,厚度约为100nm,第三层、GaN缓冲层,厚度约为2~3μm,第四层、AlGaN势垒层,厚度约为20nm,第五层、GaN帽层,厚度约为1nm,第六层、GaN HEMT源极,漏极,栅极。LDD GaN基HEMT(轻掺杂漏GaN基高电子迁移率器件)和常规GaN HEMT最主要的区别在于LDD GaN HEMT在栅极和漏极之间存在F等离子体注入工艺。

关 键 词：GAN材料 器件制作 势垒层 漏极 HEMT 缓冲层 源极 MOCVD 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]