热载流子退化对集成电路可靠性的影响及应对  

The Influence of Hot Carrier's Retrogradation on IC's Reliability and the Countermeasures

作　　者：刘峰[1] 梁勇强[2] 

机构地区：[1]玉林师范学院职业技术学院工程师,讲师广西玉林537000 [2]玉林师范学院职业技术学院,工程师广西玉林537000

出　　处：《玉林师范学院学报》2004年第3期39-42,共4页Journal of Yulin Normal University

摘　　要：分析了热载流子退化现象对集成电路可靠性的影响,研究了改善热载流子退化的计算机工艺模拟技术、按比例缩小的准恒定电压理论、LDD结构MOS晶体管。This paper analyses the influence of hot carrier's retrogradation on integrated circuit's reliability, and studies computer simulator technology,quasi-constant voltage theory, MOS transistor of LDD structure for the prevention of hot carrier retrogradation.

关 键 词：热载流子 可靠性 LDD结构 

分 类 号：O44[理学—电磁学]