薄膜全耗尽SOI CMOS工艺技术研究  

作　　者：徐春叶 刘善喜 

机构地区：[1]中国兵器工业第214研究所,蚌埠233042

出　　处：《集成电路通讯》2004年第1期7-10,20,共5页

摘　　要：对1.2μ薄膜全耗尽SOI CMOS(TFD SOI CMOS)器件和电路进行了研究,硅膜厚度为 80nm。器件采用LDD结构,以提高击穿电压、抑制断沟道效应和热载流子效应;对沟道掺杂能量和剂量进行了摸索,确保一定的开启电压和器件的全耗尽;为了减小"鸟嘴",进行了PBL(Poly-Buffered LOCOS)隔离技术研究;溅Ti硅化物技术,使方阻过大问题得以解决。经过工艺流片,获得了性能良好的器件和电路。

关 键 词：LDD结构 薄膜全耗尽SOI CMOS 热载流子效应 溅Ti硅化物 PBL隔离 短沟道效应 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]