BSIM3V3

作品数：10被引量：13H指数：2
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相关作者：谷峰刘军孙玲玲刘志宏李海更多>>
相关机构：清华大学杭州电子科技大学复旦大学中国科学院更多>>
相关期刊：《电子世界》《微电子学与计算机》《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》更多>>
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一种新的SPICE BSIM3v3 HCI可靠性模型的建立及参数优化被引量：1
《电子器件》2014年第6期1049-1053,共5页禹玥昀 林宏 赵同林 狄光智 石艳玲 
研究中提出了用于描述HCI(热载流子注入)效应的MOSFET可靠性模型及其建模方法,在原BSIM3模型源代码中针对7个主要参数,增加了其时间调制因子,优化并拟合其与HCI加压时间(Stress time)的关系式,以宽长比为10μm/0.5μm5 V的MOSFET为研究...
关键词：SPICE模型 BSIM3v3模型 热载流子注入(HCI) 可靠性 参数 
基于BSIM3v3模型参数提取
《电子世界》2011年第6期20-23,共4页杨兵 
对于当前的集成电路设计技术，计算机辅助模拟已成为一种不可缺少的工具。电路模拟器能否用于大规模集成电路的设计和分析取决于模拟器中所采用的器件模型参数的准确性。本论文选取目前业界占主流地位的BSIM3（Berkeley Short—channel ...
关键词：模型参数提取 BSIM3V3 集成电路设计 计算机辅助模拟 大规模集成电路 CHANNEL 电路模拟器 器件 
一个带自热效应的新型LDMOS解析模型被引量：1
《微电子学》2009年第4期536-540,共5页高雯 杨东旭 余志平 
介绍了一个带自热效应的新型LDMOS解析式模型。通过研究以阈值电压为基础的BSIM3v3模型,增加了对漂移区影响的考虑,同时,加入自热效应影响,且不用引入单独的自热网络,有效地提高了计算效率。模型中引入有物理背景的新参数来描述LDMOS特...
关键词：LDMOS 自热效应 BSIM3V3 解析模型 
35KCMOS器件LDD结构的SPICE宏模型被引量：2
《红外与毫米波学报》2008年第6期465-469,共5页刘文永 丁瑞军 冯琪 
预先研究(61501050303)资助项目
针对BSIM3v3模型在35K低温下无法模拟LDD(轻掺杂漏区)所引起的串联电阻异常,提出了可以模拟这一异常的SPICE宏模型.通过修改CMOS器件常温BSIM3v3模型中的一些与温度有关的参数值,得到35K BSIM3v3模型.模拟结果表明,根据此模型进行参数...
关键词：轻掺杂漏区 串联电阻 BSIM3V3 SPICE模型 CMOS 低温 
BSIM3v3模型关键参数提取的研究被引量：1
《微电子学与计算机》2008年第7期116-118,122,共4页李盛峰 李斌 郑学仁 
BSIM3v3是现在业界普遍使用的MOSFET模型,用它仿真电路能够得到准确的结果,但这个复杂的模型给电路设计者的手算过程带来了相当大的困难.为得到更为准确的关键参数,对用HSPICE从BSIM3v3模型提取关键参数的方法进行了改进,并以一个运放...
关键词：MOSFET BSIM3V3 参数提取 HSPICE 运放 
用作射频仿真的BSIM3v3改进模型
《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2006年第5期1-4,共4页谷峰 孙玲玲 刘军 
国家自然科学基金资助项目(90207007);浙江省重大国际合作项目(2004C14004);浙江省重大科技计划项目(2004C21044)
该文介绍了BSIM3模型直流参数提取的过程以及在RF下模型的改进情况。首先简要介绍了BSIM3模型的发展情况,然后根据BSIM3用户手册,对BSIM3的一些直流参数进行了提取以及优化,同时给出了参数优化后的仿真曲线与测试曲线的对比。随着器件...
关键词：射频 参数提取 优化 模型改进 
基于BSIM3V3的部分耗尽SOIMOSFET解析模型(英文)
《功能材料与器件学报》2006年第1期67-70,共4页李瑞贞 韩郑生 
提出了部分耗尽SOIMOSFET物理模型,SOIMOSFET可以看作体硅MOSFET和双极晶体管的结合,模型通过详细地分析SOI器件在各工作区域的工作机理得出,并提取出了相应的模型参数。用本模型得出的模拟数据与器件模拟数据进行了对比,取得了很好的...
关键词：SOI MOSFET 物理模型 参数提取 
深亚微米pMOS器件HCI退化建模与仿真方法被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第11期2169-2174,共6页李康 郝跃 刘红侠 方建平 薛鸿民 
国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA1Z1630);国家自然科学基金(批准号:60206006)资助项目~~
研究了深亚微米pMOS器件HCI(hotcarrierinjection)退化模型.采用流函数分析方法提出一种时变栅电流物理描述,基于这一栅电流模型改进了pMOS器件的HCI退化模型,并在该模型基础上提出一种HCI退化可靠性仿真方法,用于对静态应力条件下器件...
关键词：HCI 时变栅电流模型 BSIM3V3 可靠性仿真 
一种新的单边高压器件的模拟及参数提取方法被引量：2
《固体电子学研究与进展》2004年第2期173-177,共5页曹娜 吴瑞 郑国祥 
单边高压器件具有源、漏电阻不对称且与工作电压成非线形的依赖关系的特点 ,文中提出一种单边高压 MOS器件的模型 ,在不改变 BSIM3 V3模拟模型方程的基础上 ,对 BSIM3 V3模型参数的物理意义和取值进行重新的定义来表示单边高压器件的这...
关键词：BSIM3V3 单边高压MOS 器件模型 参数提取 
优化的BSIM3V3模型参数提取策略被引量：5
《微电子学》2000年第6期387-390,共4页李海 王纪民 刘志宏 
采用 Silvoca公司的 UTMOST模型参数提取程序对 BSIM3V3模型参数进行提取 ,得出了BSIM3V3模型参数随器件尺寸变化的规律 ,并将此方法应用于清华大学微电子所工艺线 1 .0 μm工艺 ,给出此工艺下的多尺寸器件的 BSIM3V3模型参数。同时 ,...
关键词：BSIM3模型 模型参数提取策略 集成电路 
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