深亚微米pMOS器件HCI退化建模与仿真方法  

Modeling and Simulation of Hot-Carrier Degradation in Deep-Submicron pMOSFET’s

作　　者：李康[1] 郝跃[1] 刘红侠[1] 方建平[1] 薛鸿民[2] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071 [2]陕西教育学院计算机系,西安710061

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第11期2169-2174,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA1Z1630);国家自然科学基金(批准号:60206006)资助项目~~

摘　　要：研究了深亚微米pMOS器件HCI(hotcarrierinjection)退化模型.采用流函数分析方法提出一种时变栅电流物理描述,基于这一栅电流模型改进了pMOS器件的HCI退化模型,并在该模型基础上提出一种HCI退化可靠性仿真方法,用于对静态应力条件下器件的HCI退化程度进行预测.最后给出了仿真结果对比.该方法已被用于XDRT可靠性工具中进行器件HCI退化分析.A HCI（hot carrier injection） degradation model of DSM（deep submicron） pMOSFETs is studied. A physical description of a time-dependent gate current is given with a stream function analysis, Based on this model, the HCI degradation model of DSM pMOSFETs is updated. A kind of reliability simulation method for HCI degradation, based on the degradation model,is then proposed,which is used to predict the degree of HCI degradation of the devices under static stress. Analysis and comparisons of simulation results are also given. This kind of simulation method is used in XDRT tools for HCI reliability analysis of pMOSFET devices.

关 键 词：HCI 时变栅电流模型 BSIM3V3 可靠性仿真 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]