王纪民

作品数:22被引量:27H指数:3
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供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文主题:LDMOS存储器集成电路数字集成电路EEPROM更多>>
发文领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊:《半导体技术》《清华大学学报(自然科学版)》《微电子学》《Journal of Semiconductors》更多>>
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一种CMOS智能温度传感器前端电路的设计被引量:3
《微电子学》2007年第2期286-290,共5页秦瑞 沈延钊 王纪民 
设计了一种CMOS智能温度传感器的前端电路,包括温度检测电路、基准电流源和自稳零放大器。通过分析垂直衬底PNP晶体管的非理想特性,提出了相应的减小温度检测误差的方法;设计了一个对电源电压和温度变化不敏感的基准电流源,为温度检测...
关键词:温度传感器 衬底PNP晶体管 基准电流源 自稳零 
具有漂移区场氧化层结构的射频LDMOS器件研究被引量:1
《微电子学》2006年第5期626-629,共4页冯曦 王纪民 刘道广 
介绍了一种改进型RF LDMOS器件。通过对传统RF LDMOS器件的工艺流程进行修改,并在漂移区上方引入场氧化层结构,改善了器件的准饱和现象。当工作在Vgs=5 V,Vds=10 V条件下时,与传统RF LDMOS器件相比,改进后RF LDMOS器件的跨导提高约81%,...
关键词:RF LDMOS 准饱和 漂移区 场氧化层 
一种LDMOS高压运算放大器的设计与实现被引量:2
《微电子学》2006年第1期87-89,共3页邓兰萍 王纪民 
使用专门设计的LDMOS高压器件,实现了一个具有高压驱动能力(±150 V)和大增益(>80 dB)的CMOS运算放大器。模拟结果显示,N沟道和P沟道LDMOS晶体管的最大击穿电压都超过了320 V,高压隔离超过300 V,从而可以确保其高压放大功能。该运算放...
关键词:LDMOS RESURF 高压 运算放大器 
LDMOS低功耗自恢复电平移位电路设计被引量:5
《Journal of Semiconductors》2005年第10期2028-2031,共4页邓兰萍 王纪民 
设计了一个新型的薄栅氧、低功耗、自恢复的电平移位栅电压控制电路.在20V工作电压下,n沟道和p沟道LDMOS高压器件的栅源电压Vgs分别保持在±5V.当一个选址周期结束后,电路能自动复位而不需增加任何复位器件和电路.该电路为高低压兼容,...
关键词:薄栅氧 低功耗 自恢复 电平移位 LDMOS 
氮化硅干法刻蚀工艺设备模型的试验与测量
《微电子学》2005年第1期11-14,共4页李煜 李瑞伟 王纪民 付玉霞 
通过对氮化硅薄膜干法刻蚀工艺实验结果的测量,得到硅片表面非均匀性分布的具体测 量数据,并对这种现象的成因进行了定性的理论分析,为下一步建立刻蚀工艺设备模型准备了充足 的实验数据。
关键词:干法刻蚀 氮化硅刻蚀 半导体工艺 工艺设备模型 
用虚拟制造设计低压功率VDMOS被引量:3
《半导体技术》2004年第5期72-74,77,共4页夏宇 王纪民 蒋志 
采用虚拟制造方法设计了低压功率VDMOS器件,并对其进行结构参数、物理参数和电性能参数的模拟测试,确定了器件的物理结构。通过对这些参数和电学特性的分析,进一步优化设计,最终获得了满意的设计参数和性能。
关键词:虚拟制造 低压功率VDMOS器件 结构参数 物理参数 电性能参数 电学特性 优化设计 
三端自由高压LDMOS器件设计被引量:3
《微电子学》2004年第2期189-191,共3页肖文锐 王纪民 
 应用RESURF原理,设计了三端自由的高压LDMOS器件。采用虚拟制造技术,分析比较了多种结构,对器件结构进行了优化。设计了与常规CMOS兼容的高压器件结构的制造方法和工艺。采用虚拟制造,得到NMOS和PMOS虚拟器件,击穿电压分别为350V和320V。
关键词:LDMOS RESURF 三端自由 虚拟制造 高压器件 击穿电压 
内嵌设备模型的离子注入工艺模拟程序
《Journal of Semiconductors》2003年第5期556-560,共5页李煜 李瑞伟 王纪民 
以离子注入工艺为例 ,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响 ,提出了建立设备模型的必要性 ,并且编程加以实现 .
关键词:设备模型 离子注入 工艺模拟 沟道效应 编程 
MOS器件中寄生双极型晶体管模型参数的提取被引量:1
《微电子学》2002年第5期348-350,共3页吴代远 王纪民 
在晶体管 GP模型基础上 ,采用 Silvoca公司的 UTMOST模型参数提取程序 ,得到一种双极型晶体管模型参数的提取方法。用此方法对 PCM测试芯片的寄生三极管进行参数提取和模拟 ,模拟结果与测试结果符合得较好。
关键词:MOS器件 双极型晶体管 参数提取 局部优化 全局优化 
基于虚拟制造技术的集成电路工艺设计优化被引量:1
《微电子学》2002年第3期172-174,共3页王镇 王纪民 
采用虚拟制造技术对 0 .8μm双阱 LPLV CMOS工艺进行优化 ,确定了主要的工艺参数。在此基础上 ,对全工艺过程进行仿真 ,得到虚拟制造器件和软件测试数据 。
关键词:虚拟制造技术 集成电路 工艺设计优化 
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