肖文锐

作品数：1被引量：3H指数：1
导出分析报告
供职机构：清华大学更多>>
发文主题：LDMOSRESURF虚拟制造高压器件高压LDMOS更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
三端自由高压LDMOS器件设计被引量：3
《微电子学》2004年第2期189-191,共3页肖文锐 王纪民 
　应用RESURF原理,设计了三端自由的高压LDMOS器件。采用虚拟制造技术,分析比较了多种结构,对器件结构进行了优化。设计了与常规CMOS兼容的高压器件结构的制造方法和工艺。采用虚拟制造,得到NMOS和PMOS虚拟器件,击穿电压分别为350V和320V。
关键词：LDMOS RESURF 三端自由 虚拟制造 高压器件 击穿电压 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部