电平移位

作品数：27被引量：50H指数：5
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一种交叉耦合型高CMTI电平移位电路设计
《微电子学》2024年第3期388-394,共7页赵媛 赵高峰 郭敏 李瑞静 刘畅 陆佳成 
河南大学一流学科培育项目(2019YLZDCG02)。
设计了一种新型交叉耦合结构高共模瞬态抗扰度(Common Mode Transient Immunity,CMTI)的电平移位电路。采用窄脉冲信号产生电路降低了的整体功耗;在电流控制型比较器的作用下,很大程度上降低了电平移位电路的传输延时;同时设计了辅助动...
关键词：共模瞬态抗扰度 电平移位电路 窄脉冲产生电路 电流比较器 双重互锁单元 
一种输出低电平可调的高边电平移位驱动电路
《中国集成电路》2024年第5期46-49,56,共5页杨丰 聂长敏 张荣晶 张青 仲舒曼 廖鹏飞 
为满足宽输入范围DC/DC芯片的需求,本文设计了一种可调输出低电平电压的高边电平移位驱动电路。该电路无需使用二极管和双极型器件,通过MOS管配置高边驱动信号的低电平电压,并将其应用于高压DC/DC转换器芯片。芯片采用0.35μm BCD工艺流...
关键词：DC/DC转换器 电平移位 高边驱动电路 
基于CLS技术的音频应用低功耗Δ-Σ调制器
《电视技术》2023年第3期17-22,共6页吴剑涵 黄恭兴 陈群超 魏榕山 
福建省技术创新重点攻关及产业化项目(2022G020)。
为了提高便携式音频产品的续航能力,设计一种三阶单环单比特前馈结构的离散时间Δ-Σ调制器。采用浮动反向放大器(Floating Inverter Amplifier,FIA)作为跨导放大器(Operational Transconductance Amplifier,OTA),可以降低整体电路的功...
关键词：音频应用 Δ-Σ调制器 低功耗 浮动反向放大器 相关电平移位 
一种适用于氮化镓半桥结构的高可靠性差分电流补偿电平移位电路
《电子学报》2022年第11期2561-2567,共7页赵鹏 姜梅 
广东省重点科技产业质量基础共性技术研究及应用(No.2020B0404030004)。
为了提高氮化镓半桥结构的抗dv/dt特性,提出了一种适用于氮化镓半桥结构的高可靠性差分电流补偿新颖电平移位电路.该电路在自举电容作用下,将0 V~5 V输入电压转换为35 V~40 V输出电压,并且在浮点电压快速变化过程中,输出的驱动电压均保...
关键词：氮化镓 电平移位 电流补偿 半桥结构 自举电容 降压式变换电路 
用于GaN半桥驱动器的高速电平移位电路被引量：2
《半导体技术》2022年第11期873-878,890,共7页李亮 周德金 黄伟 陈珍海 
江苏省高职院校教师专业带头人高端研修项目(2021GRFX058);智能微系统安徽省工程技术研究中心开放项目(MSZXXM2001)。
设计了一种GaN半桥驱动器高性能电平移位电路,一方面采用短脉冲控制的高速镜像噪声电流与噪声电流相互抵消的方法消除共模噪声,另一方面采用脉冲宽度调制(PWM)控制的正反馈互锁电路,该电路不含RC滤波,用来消除由于工艺偏差造成的差模噪...
关键词：GAN 半桥驱动器 电平移位 瞬态噪声抑制 正反馈互锁 
基于皮尔斯振荡器的8 MHz晶振电路设计被引量：5
《电子与封装》2021年第2期90-95,共6页邵颖飞 鲁征浩 
分析了石英晶体的等效模型和性能参数,设计了一款基于皮尔斯振荡器的8 MHz晶振电路,主要包括皮尔斯电路、使能控制及隔离电路、偏置电路和整形及电平移位电路。针对数字电路时钟为方波且数字电压域与模拟电压域不同的问题,设计了一个整...
关键词：晶振电路 整形电路 电平移位 
一种GaN半桥驱动器电平移位电路设计被引量：5
《微电子学》2021年第1期28-32,共5页成松林 向乾尹 冯全源 
国家自然科学基金资助项目(61771408,61531016)。
GaN半桥输出点电压在死区时间为负值,给GaN功率器件栅极驱动电路信号通信带来了挑战。通过研究驱动器电平移位锁存电路工作状态与半桥功率级输出节点电压跳变、死区时间负压之间的相互影响,设计了一种新型的零静态功耗电平移位电路及其...
关键词：GaN驱动 电平移位电路 开关电源 DC-DC降压变换器 
GaN HEMT栅驱动技术研究进展被引量：8
《电子与封装》2021年第2期35-46,I0002,共13页周德金 何宁业 宁仁霞 许媛 徐宏 陈珍海 黄伟 卢红亮 
安徽省重点研究与开发计划项目(201904b11020007);广西精密导航技术与应用重点实验室开放基金(DH201913)。
GaN HEMT器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高效、高频功率转换领域中有着广泛的应用前景。栅驱动芯片对于GaN HEMT器件应用起着至关重要的作用。介绍了GaN HEMT器件特性和驱动要求,对其栅驱动芯片的典型架构和每种芯片...
关键词：GaN HEMT 栅驱动电路 电平移位 绝缘隔离 半桥 
一种用于智能高边功率IC的负载开路检测电路被引量：5
《微电子学与计算机》2020年第12期17-21,共5页张小琴 蔡小五 曾传滨 闫薇薇 赵海涛 刘海南 罗家俊 
国家自然科学基金(61874135)。
基于BCD工艺,设计了一种用于智能高边功率开关的新型开态负载开路检测电路.采用双重判决电路,解决了传统检测方法所带来的额外电压降和小电流检测误差太大的问题,提高了负载开路检测的精度和可靠性,且能实现1 mA^10 mA的低阈值电流检测....
关键词：智能功率集成电路 驱动电路 电平移位 开路检测 
一种提高SOA能力的厚膜SOI-LDMOS结构
《微电子学》2019年第3期436-440,共5页周峰 
江苏省自然科学基金资助项目(BK20130021)
在高压驱动芯片中,厚膜SOI-LDMOS能起到电平移位的作用。为确保芯片能够长时间稳定工作,需要LDMOS具有大范围的SOA能力。提出一种在源端N+区域引入PN间隔技术的新结构。通过研究,确定了最优PN间隔比例。对最优结构进行测试,结果表明,器...
关键词：SOI-LDMOS PN间隔 SOA能力 电平移位 
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