闫薇薇

作品数：4被引量：9H指数：2
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：静电保护埋氧层硅化物隔离区可控硅器件更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程医药卫生更多>>
发文期刊：《微电子学与计算机》《微纳电子技术》更多>>
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28nm超薄体FD-SOI高温输出电流特性研究被引量：4
《微电子学与计算机》2021年第12期75-79,共5页张颢译 曾传滨 李晓静 闫薇薇 倪涛 高林春 罗家俊 赵发展 韩郑生 
针对高温引起MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件饱和输出电流值发生退化的问题,开展了对SOI(绝缘体上硅)工艺器件的高温特性分析.结果表明FDSOI的饱和输出电流随温度变化值ΔI/I=1.9%,远小于PDSOI的ΔI/I=24.1%.其原因是超薄体...
关键词：高温器件 超薄体FDSOI 输出电流 载流子迁移率 
一种用于智能高边功率IC的负载开路检测电路被引量：5
《微电子学与计算机》2020年第12期17-21,共5页张小琴 蔡小五 曾传滨 闫薇薇 赵海涛 刘海南 罗家俊 
国家自然科学基金(61874135)。
基于BCD工艺,设计了一种用于智能高边功率开关的新型开态负载开路检测电路.采用双重判决电路,解决了传统检测方法所带来的额外电压降和小电流检测误差太大的问题,提高了负载开路检测的精度和可靠性,且能实现1 mA^10 mA的低阈值电流检测....
关键词：智能功率集成电路 驱动电路 电平移位 开路检测 
氮等离子体处理的抑制用于改善钨填充（英文）
《微纳电子技术》2019年第11期925-932,938,共9页张念华 万先进 李远 许爱春 潘杰 左明光 胡凯 詹侃 宋锐 毛格 彭浩 李晓静 闫薇薇 曾传滨 
National Natural Science Foundation of China(61804168);Youth Innovation Promotion Association of CAS(2015099)
在体钨生长过程中使用原位氮等离子体处理成功实现了无孔洞钨填充。通过氮等离子体处理,钨转化成了氮化钨,其作为抑制剂引起结构顶部钨薄膜的生长延迟。因此,消除了结构顶部薄膜封口,并且实现了无孔洞的钨薄膜生长。使用扫描电子显微镜(...
关键词：钨填充 孔洞 氮等离子体处理 氮化钨薄膜 延迟时间 乙硼烷(B2H6) 
基于PDSOI的锁相环电路单粒子瞬变敏感性研究
《微电子学与计算机》2017年第8期76-81,共6页于猛 曾传滨 闫薇薇 李博 高林春 罗家俊 韩郑生 
国家自然科学基金项目(61404161)
分析了一款基于0.35μm PDSOI工艺的锁相环(PLL)电路的抗单粒子瞬变(SET)能力,利用相位抖动为表征参数评估SET对PLL电路的影响与产生影响的可能性.电路级仿真采用优化过的SET注入模型,提高了仿真预测的准确程度.分析了PLL电路的SET敏感...
关键词：单粒子瞬变 锁相环 辐射效应 相位抖动 
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