BSIM3模型

作品数：10被引量：23H指数：3
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相关机构：上海大学中国科学院研究生院杭州电子科技大学华东师范大学更多>>
相关期刊：《中国集成电路》《Journal of Semiconductors》《计算机与数字工程》《微电子学》更多>>
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艰难困苦 玉汝于成——访艾克赛利公司总裁张锡盛博士
《中国集成电路》2010年第12期19-23,27,共6页挽弓 
本期高端人士介绍：张锡盛，清华大学微电子专业博士，师从中科院院士李志坚教授。美国加洲大学伯克利分校博士后，师从胡正明教授。研究方向是半导体器件模型BSIM3和参数提取方法。为BSIM3模型成为工业界标准做出了贡献。曾在位于美国...
关键词：博士后 半导体器件模型 BSIM3模型 锡 总裁 清华大学 美国硅谷 中科院院士 
基于表面电势的高压LDMOS晶体管直流模型改进被引量：2
《电子器件》2008年第4期1109-1112,共4页孙玲玲 何佳 刘军 
针对标准MOSFET的BSIM3和PSP模型在高压LDMOS建模上的不足,提出了基于PSP表面电势方程的改进高压LDMOS晶体管I-V模型。在研究过程中,使用Agilent系列直流测试设备及ICCAP参数提取软件和ADS仿真器对高压LDMOS晶体管进行数据采集及参数提...
关键词：器件建模 高压LDMOS VERILOG-A 参数提取 BSIM3模型 PSP模型 
基于BSIM3模型的毫米波MOS变容管建模被引量：3
《微电子学》2007年第6期833-837,共5页夏立诚 王文骐 胡嘉杰 
上海-应用材料研究与发展基金资助项目(0506)
提出了应用于毫米波段的MOS变容管的建模方法。针对标准0.18μm CMOS工艺,采用2D器件仿真软件MINIMOS,设计实现了积累型MOS变容管;并提出和分析了基于标准BSIM3模型的MOS变容管的等效电路模型;通过MINIMOS仿真,直接提取电路模型各寄生...
关键词：毫米波 CMOS 建模 MOS变容管 BSIM3 
高压集成电路中的HV MOS晶体管BSI M3 I-V模型改进被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第6期1073-1077,共5页任铮 石艳玲 胡少坚 金蒙 朱骏 陈寿面 赵宇航 
国家自然科学基金(批准号:60306012);上海市科委启明星计划(批准号:04QMX1419);上海应用材料研究与发展基金(批准号:0522)资助项目~~
针对SPICEBSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS(简称HVMOS)晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I V模型改进.研究中使用AgilentICCAP测量系统对HV MOS晶体管进行数据采集,并分析其源漏电阻受栅源、...
关键词：BSIM3模型 SPICE HV MOS晶体管 参数提取 曲线拟合 
模拟集成电路仿真中的UDSM MOSFET建模
《微电子学》2006年第3期320-325,共6页段成华 柳美莲 
国家高技术研究发展(863)计划资助项目(2002AA141041)
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,重点分析了在模拟集成电路设计中较为流行的几种模型:BSIM3、EKV和SP2001模型,对其各自的优缺点进行了比较。结果表明,获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的;...
关键词：模拟集成电路 MOSFET建模 BSIM3模型 SP2001模型 EKV模型 
超深亚微米工艺下模拟IC仿真的MOSFET模型被引量：2
《微纳电子技术》2006年第4期203-208,共6页段成华 柳美莲 
国家863计划项目(2002AA141041)
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点。结果表明获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的...
关键词：模拟IC MOSFET建模 BSIM3模型 EKV模型 反型系数 短沟道效应 中间反型区 
CMOS电路低温特性及其仿真被引量：7
《低温物理学报》2005年第4期331-337,共7页周鹏 冯一军 
本文采用0.25微米工艺制备了CMOS器件和电路,通过对300K、77K和4K温度下器件和电路特性的测量,研究了工作温度降低对CMOS电路特性的影响.通过讨论MOSFET器件和互连线主要特性参数随温度的变化情况,修改了常温CMOSBSIM3模型以及互连线参...
关键词：CMOS器件 载流子冻析效应 互连线 环形振荡器 CMOS电路 仿真模型 低温特性 MOSFET器件 CMOS器件 BSIM3模型 温度降低 电路特性 实际测量 
深亚微米器件玻耳兹曼传输方程的实用解析模型
《计算机与数字工程》2004年第5期4-7,共4页童建农 邹雪城 沈绪榜 
深亚微米MOSFET须应用玻耳兹曼传输模型。本文建立了一个基于物理假定的解析解模型,其特点是可以加入经典模型BSIM3v3,并通过模拟程序CMOSIS进行了模拟验证。
关键词：MOSFET 玻耳兹曼传输方程 速度过冲效应 BSIM3模型 
优化的BSIM3V3模型参数提取策略被引量：5
《微电子学》2000年第6期387-390,共4页李海 王纪民 刘志宏 
采用 Silvoca公司的 UTMOST模型参数提取程序对 BSIM3V3模型参数进行提取 ,得出了BSIM3V3模型参数随器件尺寸变化的规律 ,并将此方法应用于清华大学微电子所工艺线 1 .0 μm工艺 ,给出此工艺下的多尺寸器件的 BSIM3V3模型参数。同时 ,...
关键词：BSIM3模型 模型参数提取策略 集成电路 
亚微米MOSFET的BSIM3模型参数提取被引量：3
《微电子学与计算机》1999年第4期8-9,共2页夏增浪 胡贵才 
文章采用ＨＰ的ＩＣ－ＣＡＰ对亚微米ＭＯＳＦＥＴ模型参数进行提取，给出了器件结构、测试系统及提取结果，并对提取模型的精确性进行了分析。
关键词：MOSFET BSIM3模型 参数提取 亚微米 
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