柳美莲

作品数：2被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院电子学研究所更多>>
发文主题：BSIM3模型模拟集成电路超深亚微米工艺MOSFET模型模拟IC更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学》《微纳电子技术》更多>>
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模拟集成电路仿真中的UDSM MOSFET建模
《微电子学》2006年第3期320-325,共6页段成华 柳美莲 
国家高技术研究发展(863)计划资助项目(2002AA141041)
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,重点分析了在模拟集成电路设计中较为流行的几种模型:BSIM3、EKV和SP2001模型,对其各自的优缺点进行了比较。结果表明,获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的;...
关键词：模拟集成电路 MOSFET建模 BSIM3模型 SP2001模型 EKV模型 
超深亚微米工艺下模拟IC仿真的MOSFET模型被引量：2
《微纳电子技术》2006年第4期203-208,共6页段成华 柳美莲 
国家863计划项目(2002AA141041)
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点。结果表明获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的...
关键词：模拟IC MOSFET建模 BSIM3模型 EKV模型 反型系数 短沟道效应 中间反型区 
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