童建农

作品数：6被引量：12H指数：1
导出分析报告
供职机构：华中科技大学更多>>
发文主题：热载流子退化集成电路槽栅MOSFETIP复用片上系统更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《计算机与数字工程》《微电子学》《半导体技术》《物理学报》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-6
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
掺杂浓度对槽栅nMOSFET特性的影响研究
《微电子学》2004年第5期510-513,共4页童建农 邹雪城 沈绪榜 
　讨论了槽栅结构nMOSFET的掺杂浓度对器件特性的影响,并通过二维器件仿真程序PISCES-II进行了计算模拟比较。结果表明,提高衬底掺杂浓度,能使源漏区与沟道之间的拐角效应增大,对热载流子效应抑制的作用明显;提高沟道掺杂浓度,能减小沟...
关键词：槽栅MOSFET 掺杂 短沟道效应 热载流子退化 
玻耳兹曼输运模型有限元数值解误差分析的研究
《光通信研究》2004年第4期64-66,共3页童建农 邹雪城 沈绪榜 
文章应用有限元方法的器件玻耳兹曼输运模型进行了误差分析.模型与模拟结果表明扰动误差是在有限元积分的网格剖分加密过程中产生的,提高数值精度是改进稳定性的途径之一.
关键词：有限元方法 误差分析 纵向MOSFET SOI 
深亚微米器件玻耳兹曼传输方程的实用解析模型
《计算机与数字工程》2004年第5期4-7,共4页童建农 邹雪城 沈绪榜 
深亚微米MOSFET须应用玻耳兹曼传输模型。本文建立了一个基于物理假定的解析解模型,其特点是可以加入经典模型BSIM3v3,并通过模拟程序CMOSIS进行了模拟验证。
关键词：MOSFET 玻耳兹曼传输方程 速度过冲效应 BSIM3模型 
新型槽栅nMOSFET凹槽拐角效应的模拟研究被引量：1
《物理学报》2004年第9期2905-2909,共5页童建农 邹雪城 沈绪榜 
应用二维器件仿真程序PISCES Ⅱ ,模拟计算了新型槽栅结构器件中凹槽拐角效应的影响与作用 ,讨论了槽栅结构MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应、阈值电压特性等的影响 .槽栅结构的凹槽拐角效应对抑制短沟道效应和抗热载流子效应...
关键词：槽栅MOSFET 拐角效应 阈值电压 热载流子退化 沟道电场 结构参数 
新型槽栅nMOSFET热载流子效应的模拟研究
《固体电子学研究与进展》2003年第4期400-405,共6页童建农 邹雪城 沈绪榜 
应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏...
关键词：槽栅结构 NMOSFET 热载流子效应 热载流子退化 器件特性 亚阈值特性 输出特性 
片上系统中的IP复用被引量：11
《半导体技术》2001年第7期3-7,16,共6页朱全庆 邹雪城 东振中 黄峰 童建农 
ＩＰ（Ｉｎｔｅｌｌｅｃｔｕａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｙ）复用技术是提高片上系统设计效率、缩短设计周期的一个关键。本文简要介绍了ＩＰ产生的原因、ＩＰ的概念与分类，分析了可复用ＩＰ的设计流程及相关工具，探讨了片上系统设计中的Ｉ...
关键词：片上系统 IP复用 硬件描述语言 集成电路 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部