槽栅MOSFET

作品数：14被引量：13H指数：2
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基于TCAD技术的碳化硅槽栅MOSFET器件设计被引量：1
《实验技术与管理》2023年第11期142-147,共6页刘彦娟 韩迪 贾德振 
辽宁省科技厅资助项目(2021-BS-192);辽宁省教育厅资助项目(LJKZ0174);辽宁省教改资助项目(辽教办〔2021〕254号)。
针对碳化硅槽栅MOSFET器件内部寄生二极管的反向恢复特性差的问题,设计了碳化硅槽栅MOSFET器件新结构,通过在碳化硅槽栅MOSFET器件元胞内部集成多晶硅/碳化硅异质结二极管,在不使器件的其他电学特性退化的基础上,改善器件的反向恢复特...
关键词：碳化硅器件 槽栅MOSFET器件 反向恢复特性 多晶硅/碳化硅异质结 半导体功率器件 
碳化硅沟槽栅MOSFET技术研究进展
《机车电传动》2023年第5期10-25,共16页罗海辉 李诚瞻 姚尧 杨松霖 
湖南省科技重大项目(2021GK1180)。
第三代宽禁带半导体碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)具备耐高压、耐高温和低损耗等优点,迅速成为行业的研究热点。文章结合SiC功率MOSFET器件发展历史,探讨了从平面栅技术发展到沟槽栅技术的必要性,介绍了SiC沟槽栅MOS...
关键词：碳化硅 沟槽栅MOSFET 沟槽工艺 沟槽栅氧 沟槽结构 新型沟槽 
具有栅介质电场屏蔽作用的新型GaN纵向槽栅MOSFET器件设计
《半导体光电》2022年第3期466-471,共6页黎城朗 吴千树 周毓昊 张津玮 刘振兴 张琦 刘扬 
广东省重点领域研发计划资助项目(2020B010174003)。
基于氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)半导体的金氧半场效应晶体管(MOSFET)器件在关态耐压下,栅介质中存在与宽禁带半导体临界击穿电场相当的大电场,致使栅介质在长期可靠性方面受到挑战。为了避免在GaN器件中使用尚不成熟的p型离子注入技术,...
关键词：氮化镓 栅介质可靠性 功率MOSFET 纵向槽栅结构 电场屏蔽 
沟槽栅功率MOSFET导通电阻的模拟研究被引量：2
《北京工业大学学报》2011年第3期342-346,共5页王颖 程超 胡海帆 
中央高校基本科研业务费专项资金资助(HEUCFT1008)
为了进一步降低沟槽栅功率MOS器件的导通电阻,提出了一种改进的trench MOSFET结构.借助成熟的器件仿真方法,详细分析了外延层杂质掺杂对器件导通电阻和击穿电压的影响,通过对常规trench MOSFET和这种改进的结构进行仿真和比较,得出了击...
关键词：沟槽栅MOSFET 导通电阻 击穿电压 器件仿真 
CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比
《中国集成电路》2009年第5期54-58,共5页韩峰 亢宝位 吴郁 田波 
本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析,并在此基础上分别对两种典型结构的沟槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现,在一定工作条件下,常闭型e-JFET比目前常用的...
关键词：沟槽栅e-JFET 沟槽栅MOSFET 功耗 
面向低压高频开关应用的功率JFET的功耗被引量：2
《电工技术学报》2009年第8期106-110,共5页田波 吴郁 黄淮 胡冬青 亢宝位 
北京市教委科技发展计划资助项目(KM200510005022)
提出了一种埋氧化物槽栅双极模式功率JFET(BTB-JFET),其面向低压高频开关应用。首次通过仿真对BTB-JFET、常规的槽栅双极模式JFET(TB-JFET)和槽栅MOSFET(T-MOSFET)等20V级的功率开关器件在高频应用时的功率损耗进行了比较。仿真中借鉴...
关键词：槽栅MOSFET 槽栅双极模式JFET 栅漏电容 埋氧化物 功耗 
短沟Trench MOSFET阈值电压解析模型
《电子器件》2008年第6期1776-1779,共4页王颖 程超 胡海帆 杨大伟 
哈尔滨市科技创新人才研究专项资金项目资助(RC2007QN009016)
传统MOS器件的阈值电压模型被广泛地用于分析Trench MOSFET的阈值电压,这种模型对于长沟道和均匀分布衬底的MOS器件来说很合适,但是对于Trench MOSFET器件来说却显现出越来越多的问题,这是因为Trench MOSFET的沟道方向是垂直的,其杂质...
关键词：沟槽栅MOSFET 阈值电压 解析模型 器件模拟 
CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比研究
《电力电子》2006年第1期47-50,共4页韩峰 亢宝位 吴郁 田波 
本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析,并在此基础上分别对两种典型结构的沟槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现,在一定工作条件下,常闭型e-JFET比目前常用的...
关键词：沟槽棚e-JFET 沟槽棚MOSFET 功耗 
掺杂浓度对槽栅nMOSFET特性的影响研究
《微电子学》2004年第5期510-513,共4页童建农 邹雪城 沈绪榜 
　讨论了槽栅结构nMOSFET的掺杂浓度对器件特性的影响,并通过二维器件仿真程序PISCES-II进行了计算模拟比较。结果表明,提高衬底掺杂浓度,能使源漏区与沟道之间的拐角效应增大,对热载流子效应抑制的作用明显;提高沟道掺杂浓度,能减小沟...
关键词：槽栅MOSFET 掺杂 短沟道效应 热载流子退化 
新型槽栅nMOSFET凹槽拐角效应的模拟研究被引量：1
《物理学报》2004年第9期2905-2909,共5页童建农 邹雪城 沈绪榜 
应用二维器件仿真程序PISCES Ⅱ ,模拟计算了新型槽栅结构器件中凹槽拐角效应的影响与作用 ,讨论了槽栅结构MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应、阈值电压特性等的影响 .槽栅结构的凹槽拐角效应对抑制短沟道效应和抗热载流子效应...
关键词：槽栅MOSFET 拐角效应 阈值电压 热载流子退化 沟道电场 结构参数 
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