韩峰

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发文主题：JFET槽栅功耗氧化层栅极更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《中国集成电路》《电力电子》《电力电子技术》更多>>
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CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比
《中国集成电路》2009年第5期54-58,共5页韩峰 亢宝位 吴郁 田波 
本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析,并在此基础上分别对两种典型结构的沟槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现,在一定工作条件下,常闭型e-JFET比目前常用的...
关键词：沟槽栅e-JFET 沟槽栅MOSFET 功耗 
栅极下加氧化层的新型沟槽栅E-JFET仿真研究
《中国集成电路》2009年第2期13-16,共4页田波 亢宝位 吴郁 韩峰 
北京市教委科技发展计划资助(KM200510005022)
新结构沟槽栅E-JFET的特点是在栅极下隐埋局域氧化层,以降低栅电容,从而改善器件的开关速度,尤其是适用于低压高频领域。通过理论及仿真分析,与无隐埋氧化层的沟槽栅MOSFET以及沟槽栅E-JFET进行了性能比较。结果证明,该结构具有最低的...
关键词：半导体器件 沟槽栅E-JFET 通态电阻 低压高频领域 
Simulation and Experiment on a Buried-Oxide Trench-Gate Bipolar-Mode JFET
《Journal of Semiconductors》2008年第10期1860-1863,共4页田波 吴郁 胡冬青 韩峰 亢宝位 
北京市教委科技发展计划资助项目(批准号:KM200510005022)~~
A buried-oxide trench-gate bipolar-mode JFET （BTB-JFET） with an oxide layer buried under the gate region to reduce the gate-drain capacitance Cgd is proposed. Simulations with a resistive load circuit for power loss...
关键词：TB-JFET BTB-JFET buried oxide gate-drain capacitance switching power loss 
栅极下加氧化层的新型沟槽栅E-JFET仿真研究被引量：1
《电力电子技术》2007年第6期96-98,共3页田波 亢宝位 吴郁 韩峰 
北京市教委科技发展计划资助(KM200510005022)~~
新结构沟槽栅E-JFET的特点是在栅极下隐埋局域氧化层,以降低栅电容,从而改善器件的开关速度,尤其是适用于低压高频领域。通过理论及仿真分析,与无埋氧化层的沟槽栅MOSFET以及沟槽栅E-JFET进行了性能比较。结果证明,该结构具有最低的开...
关键词：半导体器件 工艺参数/金属-氧化物-半导体场效应晶体管 
在标准STripFET中集成肖特基二极管以提高数据通信和计算机应用中同步buck转换器的效率
《电力电子》2006年第2期40-43,共4页G.Belverde M.Melito F.Zara .Magri 韩峰（译） 
本文采用了先进的strip工艺并在同一块芯片上集成了肖特基二极管的低压功率MOSFETs的工作特性进行了研究。这种新型的MOSFET--肖特基二极管结构可提高应用于移动通信设备中同步buck转换器的效率和可靠性。文中对相关创新的主要技术问题...
关键词：肖特基二极 无键合封装 同步buck转换器 
CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比研究
《电力电子》2006年第1期47-50,共4页韩峰 亢宝位 吴郁 田波 
本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析,并在此基础上分别对两种典型结构的沟槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现,在一定工作条件下,常闭型e-JFET比目前常用的...
关键词：沟槽棚e-JFET 沟槽棚MOSFET 功耗 
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