CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比研究  

Research of Power Consumption for Trench MOSFET and e-JFET

作　　者：韩峰[1] 亢宝位[1] 吴郁[1] 田波[1] 

机构地区：[1]北京工业大学功率半导体器件与功率集成电路研究室

出　　处：《电力电子》2006年第1期47-50,共4页Power Electronics

摘　　要：本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析,并在此基础上分别对两种典型结构的沟槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现,在一定工作条件下,常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24%,总功耗则降低约30%。将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造,在高频领域有着极好的应用前景。This paper analyses the power consumption of power devices that are applied in the field of fow voltage operation and high frequency in theory, calculating two typical structures, trench MOSFET and enhanced-Junction Field Effect Transistor （e-JFET）, It is verified through simulation that the e-JFET device has lower switch power consumption （24%, reduced） and total consumption （30% reduced） compared with trench MOSFET structure

关 键 词：沟槽棚e-JFET 沟槽棚MOSFET 功耗 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学] TN624