通态电阻

作品数：39被引量：19H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信电气工程更多>>
相关作者：亢宝位张娜吴晓鹏张海鹏谌怡更多>>
相关机构：北京工业大学富士电机株式会社中国科学院杭州电子科技大学更多>>
相关期刊：《中国集成电路》《家电科技》《中国新技术新产品》《西安邮电大学学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家科技支撑计划浙江省自然科学基金上海市教委科研基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
了解MOSFET通态漏源电阻
《世界电子元器件》2023年第11期12-13,共2页
分立MOSFET数据表中重要的规格之一是漏源通态电阻,缩写为RDS(on)。这个RDS(on)想法看起来非常简单:当FET处于截止状态时,源极和漏极之间的电阻非常高,以至于我们假设电流为零。当FET的栅源电压(V GS)超过阈值电压(V TH)时,它处于“导...
关键词：导通状态 阈值电压 漏极 源极 通态电阻 MOSFET 栅源电压 截止状态 
ST和Exagan开启GaN发展新篇章
《世界电子元器件》2021年第9期4-6,共3页
氮化镓(GaN)是一种Ⅲ-Ⅴ族宽能隙化合物半导体材料,能隙为3.4 eV,电子迁移率为1,700 cm2/Vs,而硅的能隙和电子迁移率分别为1.1 eV和1,400 cm2/Vs。因此,Ga N的固有性质让器件具有更高的击穿电压和更低的通态电阻,这就是说,与同尺寸的硅...
关键词：电子迁移率 击穿电压 通态电阻 物料清单 GAN 能隙 固有性质 
SiC减薄工艺及薄片SiC肖特基二极管的制备
《微纳电子技术》2020年第9期681-686,719,共7页刘敏 郑柳 何志 王文武 
广东省重点领域研发计划资助项目(2019B010144001)。
研究了研削工艺中磨轮目数对被减薄碳化硅(SiC)表面和欧姆接触的影响,并基于减薄工艺和激光退火工艺成功制备出170μm薄片SiC肖特基二极管。先后经过2 000目和7 000目磨轮减薄,衬底厚度从346μm降至170μm,晶圆减薄后表面粗糙度为5.4 n...
关键词：碳化硅(SiC) 晶圆减薄 肖特基二极管 激光退火 通态电阻 通态损耗 
GaN基功率电子器件及其应用专辑特邀主编述评被引量：2
《电源学报》2019年第3期1-3,共3页刘扬 杨旭 
GaN基功率电子器件因其具有开关速度快、开关频率高、工作结温高、通态电阻小、开关损耗低等优势,适合应用于新型高效、大功率等的电力电子系统。国内关于GaN基功率电子器件的研究已经取得了较为明显的进展,但与发达国家相比仍有一定的...
关键词：氮化镓 功率电子器件 功率密度 通态电阻 开关损耗 主编述评 
IGBT模块通态电阻与键合线故障关系研究被引量：8
《电力电子技术》2017年第11期91-93,共3页孔梅娟 李志刚 
国家科技支撑计划(2015BAA09B01);国家自然科学基金(51377044)~~
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块通过键合引线实现与外电路的电气连接,并联的铝键合线若发生脱落现象,会导致模块的等效通态电阻增大,通过对电阻的计算,可直接对模块进行故障诊断。通过实验得出IGBT模块通态电压与电流之间的关系曲线,计...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 通态电阻 状态监测 
单桥臂二倍升压式开关电容AC/AC变换器的研究
《电力电子技术》2017年第1期112-114,124,共4页张子省 蔡慧 陈小富 包莅庭 
国家自然科学基金(51407173)~~
阐述了二倍升压式开关电容AC/AC变换器的主电路结构、工作过程、等效内阻和等效电容。采用了方差分析法分析各电路参数对电路等效内阻的影响程度,从而得出开关通态电阻对其影响最大的结论。此外搭建了一台实验样机,采用了两种不同通态...
关键词：变换器 方差分析 通态电阻 
碳化硅基MOSFETs器件研究进展被引量：2
《西安邮电大学学报》2016年第4期1-8,共8页李金平 王琨 
国家自然科学基金重点项目(61334002)
基于近20年的研发,宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFETs)的制备工艺逐步成熟,性能不断提高,已有SiC MOSFETs产品进入市场,故综述双注入MOSFETs(DMOSFETs)和沟槽MOSFETs(UMOSFETs)两种结构的SiC MOSFET...
关键词：碳化硅 功率器件 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 阻断电压 通态电阻 
介质壁加速器用GaAs光导开关的通态电阻测量被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2013年第6期867-870,共4页谌怡 刘毅 王卫 夏连胜 张篁 石金水 章林文 
国家自然科学基金重点资助项目(11035004);中物院科学技术发展基金资助项目(2013A0402018);核能技术开发项目
GaAs光导开关可作为紧凑型脉冲功率系统的主要器件,如光导开关在介质壁加速器中的应用。为了研究通态电阻对开关性能的影响,采用平板传输线和同轴电缆作为脉冲形成线,测量了3 mm电极间隙的GaAs光导开关的通态电阻。测量结果表明:电极间...
关键词：GAAS光导开关 平板传输线 同轴电缆 通态电阻 热损伤 
CooIMOSTM C7：功率器件
《世界电子元器件》2013年第7期28-28,共1页
英飞凌科技股份公司推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTMC7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS（on）。另外，得益于低开关损耗，还可在任何负载条件下实现能效改进。
关键词：功率器件 RDS(ON) 低开关损耗 ET技术 股份公司 通态电阻 负载条件 封装 
英飞凌推出采用突破性超结技术的CoolMOS^TMC7
《电子设计工程》2013年第11期139-139,共1页
英飞凌科技股份公司进一步壮大其高压产品组合，推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS（on）。另外，得益于低开关损耗，还可在任何负载条件下实现能效改进。
关键词：技术 突破性 RDS(ON) MOSFET 产品组合 低开关损耗 股份公司 通态电阻 
全选清除导出
共4页<1234>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部