漏极

作品数：107被引量：56H指数：5
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基于栅极和漏极电压检测的SiC MOSFET短路保护电路研究
《电工技术学报》2025年第4期1145-1155,1168,共12页宛新春 陈其工 杨锦涛 武逸飞 
国家自然科学基金区域创新发展联合基金资助项目(U21A20146)。
SiC MOSFET广泛应用于电力电子变换设备中,快速、准确且可靠的短路保护电路已成为推广其应用的关键技术之一。该文对SiCMOSFET的各类短路过程进行分析,利用器件短路时漏源极电压迅速增加的特点,设计短路保护电路的拓扑结构和功能,检测Si...
关键词：SIC MOSFET 短路保护 栅极电压检测 漏极电压检测 
漏极结构对平面型纳米沟道真空三极管性能影响的模拟研究
《真空电子技术》2024年第6期47-53,共7页甘露 吴胜利 唐文华 李洁 
近年来基于纳米沟道的真空电子器件引起越来越多的关注,其中平面型纳米沟道真空三极管因采用平面工艺、制造过程相对简单且与微电子制造工艺兼容,表现出更好的发展潜力。基于器件源电极越尖锐,局部电场越强,越易实现电子发射,相关研究...
关键词：纳米沟道三极管 模拟仿真 场发射特性 圆弧型漏极 
一种基于DCM下的漏极反馈反激变换器在PFM峰值电流模式控制下的稳定性分析
《电气工程学报》2024年第2期74-82,共9页曹萱 程鹏铭 杨奕 张文鑫 管云杰 
重庆理工大学科研启动基金(2020ZDZ020);重庆市博士直通车科研(CSTB2022BSXM-JCX0119);重庆市教委科学技术研究计划(KJQN202101110,KJQN202101123)资助项目。
针对原边反馈反激变换器具有辅助绕组而成本偏高的问题,基于原边反馈与峰值电流控制方案,提出了一种基于开关管漏极反馈的反激变换器模型。与原边反馈反激变换器相比,漏极反馈反激变换器能够减少变压器辅助绕组,降低了成本,且具有较高...
关键词：漏极反馈反激变换器 PFM 建模 高精度采样 稳定性 
东芝开始量产第三代1700V SiC MOSFET模块
《变频器世界》2024年第3期35-35,共1页
3月6日,东芝电子元件及存储装置株式会社(下文简称“东芝”)宣布,公司已开始批量生产用于工业设备的第三代碳化硅(SiC)1700V、漏极电流(DC)额定值为250A的SiCMOSFET模块“MG250V2YMS3”,并扩大了产品阵容。
关键词：存储装置 漏极电流 批量生产 产品阵容 第三代 电子元件 东芝 
屏蔽栅沟槽MOSFET源-漏极间的漏电流优化
《半导体技术》2023年第12期1092-1096,共5页余长敏 罗志永 刘宇 
对于功率MOSFET,在较大的外加电压下能否获得更小的源-漏极间漏电流是评价器件性能的重要指标之一。针对击穿电压150 V的屏蔽栅沟槽MOSFET源-漏极间漏电流过大的问题,提出了两种有效的优化方法,包括降低接触孔离子注入后快速退火温度及...
关键词：漏电流 击穿电压 接触孔 黏合层 离子注入 
了解MOSFET通态漏源电阻
《世界电子元器件》2023年第11期12-13,共2页
分立MOSFET数据表中重要的规格之一是漏源通态电阻,缩写为RDS(on)。这个RDS(on)想法看起来非常简单:当FET处于截止状态时,源极和漏极之间的电阻非常高,以至于我们假设电流为零。当FET的栅源电压(V GS)超过阈值电压(V TH)时,它处于“导...
关键词：导通状态 阈值电压 漏极 源极 通态电阻 MOSFET 栅源电压 截止状态 
专利名称:一种基于二硫化钼的二氧化氮传感器
《中国钼业》2023年第4期41-41,共1页
专利申请号:CN201920461828.5,公开号:CN210015074U,申请日:2019.04.08,公开日:2020.02.04,申请人:天津大学。本实用新型公开一种基于二硫化钼的二氧化氮传感器,使用二硫化钼材料为传感材料并在两侧设置源极和漏极,在二硫化钼材料上方...
关键词：二硫化钼 传感材料 实用新型 气体扩散 采样电路 紫外滤光片 源极 漏极 
MOS管故障诊断方法及分析
《电视技术》2023年第7期189-192,共4页王仕华 
MOS管是全固态调频广播电视发射机功放模块的核心元器件。MOS管的放大能力及输出功率直接决定了发射机的输出功率,而发射机输出功率决定了发射信号的覆盖范围和接收场强的大小。功率放大单元是发射机维护检修工作的关键部位。掌握功放...
关键词：MOS管 功放模块 漏极 
碳纳米管场效应晶体管紧凑模型研究进展被引量：1
《微电子学》2023年第2期286-294,共9页杨可 左石凯 王尘 蒋见花 陈铖颖 
国家自然科学基金资助项目(61704143,61904155);福建省自然科学基金面上项目(2020J01295);厦门市2020年青年创新基金资助项目(3502Z20206074);厦门市重大科技项目(3502Z20221022)。
随着摩尔定律逼近极限,碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)被认为是5 nm以下CMOS晶体管的有力替代者。CNTFET具有准一维结构,栅极可有效控制导电沟道的导通/关断;同时,载流子在沟道内可实现近弹道输运,具有极高的迁移率。因此,CNTFET在低电...
关键词：碳纳米管 漏极电流 隧穿效应 寄生效应 紧凑模型 
带有肖特基漏极和场板结构的反向阻断垂直MOSFET研究
《微电子学》2023年第1期121-127,共7页李涛 冯保才 刘型志 王晓飞 赵羡龙 
国家电网科技项目(5500-201927267A-0-0-00)
提出了一种采用肖特基漏极(SD)与场板相结合、实现硅基垂直MOSFET器件反向阻断应用的技术。基于该技术,采用二维仿真提出并研究了两种新型垂直MOSFET器件,即带有垂直场板(VFP)的SD-VFP-MOS器件和带有倾斜场板(SFP)的SD-SFP-MOS器件。相...
关键词：垂直MOSFET 肖特基漏极 场板 反向阻断 
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