源极

作品数：69被引量：100H指数：4
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大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制
《现代雷达》2024年第5期70-74,共5页刘洪军 王琪 赵杨杨 王佃利 杨勇 
介绍了大功率射频硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Si-VDMOS)的研制结果,采用栅分离降低反馈电容技术、多子胞降低源极电感技术等,从芯片原理着手,比较分析两种芯片结构设计对反馈电容的影响,以及两种布局引线对源极电感的影响,并...
关键词：大功率 硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管 射频功率晶体管 反馈电容 源极电感 
了解MOSFET通态漏源电阻
《世界电子元器件》2023年第11期12-13,共2页
分立MOSFET数据表中重要的规格之一是漏源通态电阻,缩写为RDS(on)。这个RDS(on)想法看起来非常简单:当FET处于截止状态时,源极和漏极之间的电阻非常高,以至于我们假设电流为零。当FET的栅源电压(V GS)超过阈值电压(V TH)时,它处于“导...
关键词：导通状态 阈值电压 漏极 源极 通态电阻 MOSFET 栅源电压 截止状态 
含GaN/AlGaN双异质结源极和半超结的增强型垂直HFET的静态特性
《功能材料与器件学报》2023年第5期337-350,共14页汪子盛 韦文生 杨晨飞 丁靖扬 陈超逸 杨锦天 
国家自然科学基金项目(No.62374116)
GaN/AlGaN异质结垂直型场效应晶体管(HFET)可用作大功率开关等,但性能受限于击穿电压(V_(B))与比导通电阻(R_(on,sp))的折衷,值得深入研发。本文构建了一种包含GaN/Al_(x1(x2))Ga_(1-x1(x2))N双异质结源极和(n)GaN/(p_(1(2)))Al_(x3(x4)...
关键词：增强型垂直HFET GaN/AlGaN双异质结源极 (n)GaN/(p)AlGaN叠层异质半超结 
专利名称:一种基于二硫化钼的二氧化氮传感器
《中国钼业》2023年第4期41-41,共1页
专利申请号:CN201920461828.5,公开号:CN210015074U,申请日:2019.04.08,公开日:2020.02.04,申请人:天津大学。本实用新型公开一种基于二硫化钼的二氧化氮传感器,使用二硫化钼材料为传感材料并在两侧设置源极和漏极,在二硫化钼材料上方...
关键词：二硫化钼 传感材料 实用新型 气体扩散 采样电路 紫外滤光片 源极 漏极 
碳化硅功率器件的串扰问题及抑制方法
《广东电力》2023年第5期126-135,共10页冯静波 客金坤 彭晗 辛晴 许航宇 薛泓林 
国家电网有限公司总部科技项目(5700-202258309A-2-0-QZ)。
为了改善碳化硅功率器件的快速开关瞬态带来的串扰问题,研究碳化硅功率器件的驱动参数对串扰问题的影响,总结抑制串扰的驱动策略,并提出串扰抑制的谐振型驱动方法。首先,明确米勒电容和共源极电感的耦合作用,分析得到半桥结构中碳化硅...
关键词：碳化硅功率器件 米勒电容 共源极电感 驱动策略 有源米勒钳位 谐振驱动 
基于栅极泄漏电流的碳化硅MOSFET短路栅源极失效判定方法被引量：4
《高电压技术》2022年第6期2391-2400,共10页彭娇阳 孙鹏 张浩然 蔡雨萌 赵志斌 
国家重点研发计划(2018YFB0905703)。
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET)的短路坚固性是影响器件在高压高频功率变换领域应用的关键问题。在传统的碳化硅MOSFET栅源极短路研究中,依据器件关断后的波形中栅源...
关键词：碳化硅MOSFET 栅极泄漏电流 栅源极失效 栅源极短路 判定方法 
负载源极连接谐振式Buck-Boost LED驱动电源
《电源学报》2022年第1期112-117,共6页张哲丰 贺明智 刘雪山 张福高 万宇阳 闫圣来 
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(YJ201909)。
提出了一种负载源极连接谐振式Buck-Boost LED驱动电源,并分析了工作原理及其特性。该驱动电源利用一个串联谐振网络,解决了传统的Buck-Boost LED驱动电源开关管与输出支路不共地的问题。与传统Buck-Boost LED驱动电源相比,该电源在保...
关键词：功率因数校正 BUCK-BOOST 负载源极连接 LED驱动电源 
多芯片SiC功率模块布局优化被引量：4
《半导体技术》2021年第12期978-985,共8页余秋萍 赵志斌 赵斌 孙鹏 
国家重点研发计划项目(2018YFB0905703)。
传统的SiC模块常采用平面布局,各芯片的工作电路存在明显的不对称性,芯片间存在源极侧公共支路,支路上的耦合电感将导致严重的动态电流不均衡。首先对源极侧公共支路耦合电感对并联芯片间动态电流分布的影响进行了详细分析,建立了描述...
关键词：SiC功率模块 动态电流均衡 电流耦合效应 源极侧公共支路耦合电感 立体圆周布局 
一种将鉴频鉴相器和电荷泵分为奇偶周期的设计被引量：1
《电子测量技术》2021年第15期97-102,共6页谭睿 冯全源 
国家自然科学基金重大项目(62090012);国家自然科学基金重点项目(62031016,61831017);四川省重点项目(2019YFG0498,2020YFG0282,2020YFG0452,2020YFG0028)资助。
设计了应用于锁相环系统的鉴频鉴相器和电荷泵模块,通过将采样周期分为奇偶两组,避免了复位延迟信号过大带来的交叠问题。通过数据选择器将鉴频鉴相器分为奇偶周期,电荷泵的设计采用源极开关电荷泵结构,并加入运算放大器提高电荷泵的匹...
关键词：鉴频鉴相器 电荷泵 源极开关 动态匹配 奇偶周期 
基于源极电感检测法的SiC MOSFET短路保护电路研究被引量：2
《电气传动》2021年第15期16-19,24,共5页李官军 卢乙 殷实 余豪杰 李先允 殷帆 
江苏省储能变流及应用工程技术研究中心实验室开放基金(XNY1908005);江苏省重点研发计划(BE2018130);江苏省普通高校研究生科研创新计划(SJCX19-0534)。
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)凭借高工作温度、高开关频率和低导通损耗等优点,被广泛应用于高压、高温和高工作频率场合,但SiCMOSFET的短路耐受时间较小,仅为2~5μs,这对SiCMOSFET的短路保护电路提出了更高的要求。...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 短路特性 源极电感检测法 短路保护 
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