接触孔

作品数：33被引量：42H指数：3
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我与孔子学院的故事
《孔子学院(中西文对照版)》2024年第5期68-70,共3页松露茜 陆恺甜(翻译) 
我叫Lucia,中文名叫松露茜,是西班牙格拉纳达大学攻读双硕士学位的学生,专业是中文教学和东亚研究。我与格拉纳达大学孔子学院的故事始于五年前。那时,我刚刚进入大学,在市中心举办的一次孔院活动上,和新朋友一起去试穿了中国传统服装...
关键词：硕士学位 孔子学院 奖学金 行政事务 中文教学 东亚研究 接触孔 传统服装 
屏蔽栅沟槽MOSFET源-漏极间的漏电流优化
《半导体技术》2023年第12期1092-1096,共5页余长敏 罗志永 刘宇 
对于功率MOSFET,在较大的外加电压下能否获得更小的源-漏极间漏电流是评价器件性能的重要指标之一。针对击穿电压150 V的屏蔽栅沟槽MOSFET源-漏极间漏电流过大的问题,提出了两种有效的优化方法,包括降低接触孔离子注入后快速退火温度及...
关键词：漏电流 击穿电压 接触孔 黏合层 离子注入 
低损伤碲镉汞长波红外焦平面探测器电极接触孔刻蚀技术研究
《红外》2023年第11期6-12,共7页李景峰 刘世光 宁提 刘铭 王丹 
长波碲镉汞材料受结构、组分等因素影响。在制备器件过程中,刻蚀电极接触孔易发生材料损伤,影响芯片的成像性能。利用现有电感耦合等离子体(InductivelyCoupledPlasma,ICP)设备刻蚀长波碲镉汞芯片电极接触孔,采用分步刻蚀以避免损伤。...
关键词：长波 碲镉汞 损伤 刻蚀技术 
功率MOSFET接触孔注入退火工艺对激活效果及器件性能的影响
《电子技术（上海）》2023年第5期38-41,共4页颜树范 
阐述接触孔大剂量离子注入会引起颗粒问题,而离子注入剂量太小会导致背栅效应,引起开启电压不可控。本文通过仿真探索接触孔离子注入退火后的激活效果,并通过实验验证不同注入条件及退火条件对器件的影响,试图找到合适的工艺窗口。
关键词：集成电路制造 功率MOSFET 接触孔注入 接触孔退火 离子激活 
SiC MOSFET Al接触孔填充优化
《功能材料与器件学报》2022年第2期154-158,共5页王博文 周帅坤 林建 史文华 彭强 乔庆楠 赵海明 王敬 
山东省自然科学基金面上项目(ZR2020ME123)
以制备碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)器件为背景,通过实验研究铝(Al)接触孔填充工艺,分析磁控溅射中溅射温度、功率、靶片间距和优化刻蚀角度等参数对接触孔填充效果的影响。当靶片间距设定为5500 step时,填充高度可...
关键词：MOSFET 接触孔 填充 优化 
高纵横比间距下TiN残留物的解决方案
《集成电路应用》2019年第5期30-32,共3页黄庆丰 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500223)
讨论在标准0.18μm CMOS逻辑平台上加入一次性编程单元(OTP Cell)后,工艺所面临的问题。由于OTP Cell的设计尺寸远小于0.18μm技术代的设计要求,导致用传统工艺对OTP Cell中具有高纵横比的间距进行填充时,会出现空洞。该空洞贯通前后接...
关键词：集成电路制造 接触孔 TiN残留物 BPSG HDPUSG 
40nm节点高深宽比接触孔刻蚀电性能稳定性改善
《半导体技术》2019年第3期194-200,共7页贺金鹏 蒋晓钧 明安杰 傅剑宇 罗军 王玮冰 陈大鹏 
国家自然科学基金资助项目(61335008;61874137;61601455)
随着工艺节点减小,对高深宽比接触孔形貌和关键尺寸的精准控制变得愈加困难。基于40 nm逻辑器件量产数据,研究了高深宽比接触孔刻蚀工艺参数和刻蚀设备内部耗材的磨损对器件电性能稳定性的影响,并提出了工艺改进方案。通过减小SiO_2厚度...
关键词：高深宽比 接触孔刻蚀 侧壁形貌 刻蚀选择比 接触电阻 刻蚀设备耗材 
碲镉汞p型接触孔湿法腐蚀工艺研究被引量：1
《激光与红外》2019年第1期82-85,共4页陈慧卿 白雪飞 宁提 胡尚正 
针对碲镉汞芯片p型接触孔湿法腐蚀工艺进行研究,采用不同条件的湿法腐蚀工艺完成碲镉汞p型接触孔制备,通过扫描电子显微镜和激光扫描显微镜分析腐蚀后的接触孔表面形貌,电学接触性能通过伏安特性曲线表征。实验结果表明,传统湿法腐蚀工...
关键词：碲镉汞 湿法腐蚀 p型接触孔 
55 nm接触孔刻蚀工艺改善被引量：2
《集成电路应用》2018年第6期23-25,共3页龚华 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(2015.150204)
55 nm接触孔刻蚀在该工艺窗口检查发现严重良率损失的问题,通过改变接触孔刻蚀这个工艺模块的工艺流程,使用了更先进的图形膜工艺可以解决这一问题。先进图形膜工艺与传统光刻胶相比对刻蚀后的接触孔边缘条纹与变形可进行良好的控制,图...
关键词：集成电路制造 接触孔刻蚀 光阻 先进图形膜 关键尺寸 工艺窗口 
碲镉汞p型接触孔低损伤干法刻蚀技术研究被引量：2
《激光与红外》2018年第5期601-604,共4页宁提 陈慧卿 谭振 张敏 刘沛 
对碲镉汞材料干法刻蚀损伤进行研究,采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术、湿法腐蚀方法完成碲镉汞接触孔刻蚀,通过扫描电子显微镜和激光扫描显微镜分析刻蚀后样品的表面形貌,利用伏安特性曲线分析刻蚀样品的表面损伤。实验结果表明,干法...
关键词：碲镉汞 感应耦合等离子体刻蚀 低损伤 
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