55 nm接触孔刻蚀工艺改善  

Improvement for 55 nm Contact Etch

作　　者：龚华 Gong Hua(Shanghai Huali Microelectronics Co. Ltd, Shanghai 201203, China.)

机构地区：[1]上海华力微电子有限公司,上海201203

出　　处：《集成电路应用》2018年第6期23-25,共3页Application of IC

基　　金：上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(2015.150204)

摘　　要：55 nm接触孔刻蚀在该工艺窗口检查发现严重良率损失的问题,通过改变接触孔刻蚀这个工艺模块的工艺流程,使用了更先进的图形膜工艺可以解决这一问题。先进图形膜工艺与传统光刻胶相比对刻蚀后的接触孔边缘条纹与变形可进行良好的控制,图形转移能力更加可靠与稳定。调试中,利用电子束扫描的方法来验证新条件是否良好,可以大大缩短调试周期,并且节约成本。使用了先进图形膜工艺,接触孔的物理形貌完全符合量产的要求,并且最终将接触孔刻蚀关键尺寸缩减了7 nm,相应的工艺窗口也变大;成功将55 nm接触孔刻蚀套准精度提高33%,接触孔光刻的对准工艺窗口从15 nm扩大到了20 nm,更加利于量产的控制。Serious yield loss exists when checking 55 nm traditional Contact（CT） Etch process. We can solve the problem for changing Contact whole loop process to use new Advanced Patterning Film（APF）. APF technology can make better control for Contact hole edge striation and more stable patterning transfer ability comparing with traditional photo resist contact Etch. We use E-beam to verify our new condition and this method can reduce our cost and speed up the experiment period. We eventually get very good contact profile for mass production and can decrease 7 nm for the hole critical distance and make bigger process window after use APF technology.It is better for production control when enlarge 33%（15 nm to 20 nm） overlay window for CT photo.

关 键 词：集成电路制造 接触孔刻蚀 光阻 先进图形膜 关键尺寸 工艺窗口 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]