英飞凌推出采用突破性超结技术的CoolMOS^TMC7  

出　　处：《电子设计工程》2013年第11期139-139,共1页Electronic Design Engineering

摘　　要：英飞凌科技股份公司进一步壮大其高压产品组合，推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS（on）。另外，得益于低开关损耗，还可在任何负载条件下实现能效改进。

关 键 词：技术 突破性 RDS(ON) MOSFET 产品组合 低开关损耗 股份公司 通态电阻 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]