介质壁加速器用GaAs光导开关的通态电阻测量  

Measurement of on-resistance of GaAs photoconductive semiconductor switch in Dielectric Wall Accelerator

作　　者：谌怡[1,2] 刘毅[1,2] 王卫[1,2] 夏连胜[1,2] 张篁[1,2] 石金水[1,2] 章林文[1,2] 

机构地区：[1]中国工程物理研究院流体物理研究所,四川绵阳621999 [2]中国工程物理研究院脉冲功率科学与技术重点实验室,四川绵阳621999

出　　处：《太赫兹科学与电子信息学报》2013年第6期867-870,共4页Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology

基　　金：国家自然科学基金重点资助项目(11035004);中物院科学技术发展基金资助项目(2013A0402018);核能技术开发项目

摘　　要：GaAs光导开关可作为紧凑型脉冲功率系统的主要器件,如光导开关在介质壁加速器中的应用。为了研究通态电阻对开关性能的影响,采用平板传输线和同轴电缆作为脉冲形成线,测量了3 mm电极间隙的GaAs光导开关的通态电阻。测量结果表明:电极间隙为3 mm的GaAs光导开关的通态电阻为14.9Ω,光导开关通态电阻的存在将导致开关热损伤,降低脉冲功率系统的电压输出能力,缩短GaAs光导开关的使用寿命。GaAs Photoconductive Semiconductor Switch（PCSS） can be the main element in compact pulse power system, especially in Dielectric Wall Accelerator（DWA）. The on-resistance of 3 mm gap GaAs PCSS is measured by using planar transmission line and coaxial-cable in order to study the effect of switch on-resistance on the switch performance. The resuh：s show that the measured on-resistance of GaAs switch is 14.9 Ω. The on-resistance of PCSS will cause the thermal damage to the switch, reduce the output capability of pulsed power system, and shorten the life time of GaAs PCSS as well.

关 键 词：GAAS光导开关 平板传输线 同轴电缆 通态电阻 热损伤 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学] TM934.1[电气工程—电力电子与电力传动]