GAAS光导开关

作品数：37被引量：67H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：李洪涛袁建强刘宏伟谌怡谢卫平更多>>
相关机构：中国工程物理研究院中国工程物理研究院电子工程研究所西安交通大学电子科技大学更多>>
相关期刊：《高能量密度物理》《西安交通大学学报》《光子学报》《中国激光》更多>>
相关基金：国家自然科学基金中国工程物理研究院科学技术发展基金中国工程物理研究院科技发展基金四川省学术和技术带头人培养资金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
异面结构雪崩GaAs光导开关的制备及特性测试
《强激光与粒子束》2024年第11期37-41,共5页杨迎香 杨向红 朱章杰 黄嘉 李昕 胡龙 
国家自然科学基金面上项目(52177156);脉冲功率激光技术国家重点实验室开放基金项目(SKL2021KF05)。
雪崩砷化镓光导开关(PCSS)因其超快开关速度、低触发抖动、光电隔离、高功率容量、高重复频率以及器件结构灵活的特点,得到广泛应用。制备封装了电极间隙为5 mm的异面结构GaAs光导开关,对不同偏置电场下(36~76 kV/cm)开关的暗态和开态...
关键词：砷化镓 光导开关 暗态泄漏电流 输出特性 寿命 
GaAs光导开关电极制备工艺及性能测试被引量：1
《西安交通大学学报》2022年第2期184-190,共7页党鑫 杨向红 孙岳 刘康 朱莉 胡龙 李昕 刘卫华 王小力 
国家自然科学基金资助项目(51707162);强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金资助项目(SKLIPR 2004)。
为了解决目前GaAs光导开关成品率低、稳定性差和可靠性低等问题,提出了GaAs光导开关的关键电极制备工艺解决方案。该方案首先以半绝缘GaAs材料作为衬底,利用电子束蒸镀机在GaAs衬底上沉积Ni/Ge/Au/Ni/Au金属复合层作为光导开关电极,并...
关键词：GAAS光导开关 电极制备 欧姆接触 性能测试 可靠性 
激光二极管触发GaAs光导开关导通特性被引量：6
《高电压技术》2019年第1期310-315,共6页谌怡 刘毅 王卫 叶茂 张篁 夏连胜 
国家自然科学基金(51407169;51507162;51607166);国家自然科学基金委员会与中国工程物理研究院联合基金(U1530156);中国科学院无机功能材料与器件重点实验室开放课题(KLIFMD-2014-01)~~
基于固态平板传输线、同轴电缆、GaAs光导开关和激光二极管触发系统,设计了两种脉冲形成线电路结构,研究了激光二极管触发条件下的GaAs光导开关的导通特性:基于GaAs光导开关的固态Blumlein脉冲形成线可输出具有快前沿的高功率、窄脉冲电...
关键词：GAAS 光导开关 导通特性 激光二极管 脉冲功率技术 
GaAs光导开关损伤机理研究被引量：1
《合肥工业大学学报（自然科学版）》2017年第4期497-501,共5页孙飞翔 何晓雄 常润发 奚野 
合肥工业大学产学研校企合作资助项目(W2014JSF0299)
光导开关(photoconductive semiconductor switches,PCSS)的损伤分为热击穿和电击穿,2种击穿的原因都由开关基底材料陷阱特性决定,因此对芯片击穿机理与开关制作工艺关系的研究非常重要。文章依据开关芯片的材料特性和半导体工艺知识,...
关键词：光导开关(PCSS) 热击穿 电击穿 电子俘获效应 转移电子效应 
雪崩模式下的体结构GaAs光导开关
《太赫兹科学与电子信息学报》2016年第3期340-343,共4页吴朝阳 范昭奇 陆巍 杨周炳 罗剑波 
高功率微波技术重点实验室资助项目(2014HPM-01)
利用能量较低的脉冲激光二极管,在较高场强下触发GaAs光导开关,使其工作于雪崩模式,从而产生纳秒上升前沿的快脉冲电压。GaAs光导开关采用垂直体结构设计,芯片厚度为2mm,电极形状分别为圆环和圆面,触发光脉冲从圆环穿过。快脉冲产生由同...
关键词：砷化镓 光导开关 雪崩 半导体二极管 
强、弱激光触发下高功率GaAs光导开关的使用寿命
《高能量密度物理》2015年第1期13-18,共6页刘毅 王卫 谌怡 夏连胜 石金水 章林文 
国家自然科学基金重点项目（11035004）;中物院科学技术发展基金（2013A0402018）;国家自然科学基金（51407169）.
分别使用激光二极管和高功率激光器作为触发光源，进行了GaAs光导开关（GaAs—PCSS）的高功率导通实验，并分析了在不同光照条件下GaAs—PCSS的使用寿命和失效机理。结果表明：在强偏置电场下，GaAs-PCSS的导通模式由光功率密度决定。...
关键词：光导开关 寿命 高功率 激光功率密度 导通模式 
半导体激光二极管触发GaAs光导开关被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2014年第6期804-806,812,共4页吴朝阳 范昭奇 陆巍 杨周炳 罗剑波 
高功率微波技术重点实验室基金资助项目(2013HPM-01)
半导体激光二极管触发下砷化镓(Ga As)光导开关工作于雪崩模式,为此设计了异面体结构的Ga As光导开关以提高开关场强。设计的开关芯片厚度为2 mm,电极间隙为3 mm,利用半导体激光二极管对开关进行触发实验。当开关充电电压超过8 k V后,...
关键词：砷化镓 光导开关 非线性 半导体二极管 
固态平板Blumlein线中的GaAs光导开关导通电阻实验
《电工电能新技术》2014年第7期73-76,共4页谌怡 王卫 刘毅 夏连胜 张篁 朱隽 石金水 章林文 
国家自然科学重点基金资助项目(11035004);中物院科学技术发展重点基金资助项目(2013A0402018)
为了研制紧凑型脉冲功率系统,开展了基于固态Blumlein线的GaAs光导开关(PCSS)导通电阻的初步研究实验。结合2mm厚固态平板Blumlein线,利用高功率脉冲激光二极管触发GaAs光导开关,在脉冲偏置电压下,GaAs光导开关非线性导通,经Blumlein线...
关键词：脉冲功率技术 固态平板Blumlein线 GAAS光导开关 导通电阻 
大电流GaAs光导开关工作特性研究
《微波学报》2014年第S1期511-513,共3页姜苹 谢卫平 刘宏伟 袁建强 王凌云 马勋 丁胜 
中国工程物理研究院科学发展基金项目(2013B0402061);四川省学术和技术带头人培养资金资助项目
光导开关作为一种新型固体开关,具有闭合时间短(ps量级)、时间抖动小、重复频率高、功率容量大、光电隔离等优势,脉冲功功率技术研究领域受到广泛关注。实验研究表明,光导开关性能与工作电压、导通电流、触发激光参数、重复频率、工作...
关键词：光导开关 工作寿命 暗态电阻 导通电流 
不同激光二极管能量触发下GaAs光导开关研究
《微波学报》2014年第S1期464-467,共4页吴朝阳 范昭奇 陆巍 杨周炳 
高功率微波技术重点实验室项目(2013HPM-01)
Ga As光导开关在较高的场强下可工作于雪崩模式,为此设计了异面体结构的Ga As光导开关以提高开关场强。设计的开关芯片厚度为2mm,电极间隙为3mm,利用半导体激光二极管对开关进行了触发实验。当开关充电电压超过8k V后,开关输出脉冲幅度...
关键词：光导开关 雪崩模式 半导体二极管 触发能量 
全选清除导出
共4页<1234>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部