强、弱激光触发下高功率GaAs光导开关的使用寿命  

作　　者：刘毅[1] 王卫[1] 谌怡[1] 夏连胜[1] 石金水[1] 章林文[1] 

机构地区：[1]中国工程物理研究院流体物理研究所106室,四川绵阳621999

出　　处：《高能量密度物理》2015年第1期13-18,共6页High Energy Density Physics

基　　金：国家自然科学基金重点项目（11035004）;中物院科学技术发展基金（2013A0402018）;国家自然科学基金（51407169）.

摘　　要：分别使用激光二极管和高功率激光器作为触发光源，进行了GaAs光导开关（GaAs—PCSS）的高功率导通实验，并分析了在不同光照条件下GaAs—PCSS的使用寿命和失效机理。结果表明：在强偏置电场下，GaAs-PCSS的导通模式由光功率密度决定。在激光二极管触发下，光功率密度较低，GaAs-PCSS进入非线性导通模式，寿命约为10^5次，光导开关的损伤主要是由于载流子雪崩效应产生；在高功率激光器触发下，光功率密度较高，GaAs-PCSS进入准线性导通模式，寿命可达约10^5次，损伤则主要是由于电极烧蚀产生。该研究结果对微型高功率激光发生器提出了需求。

关 键 词：光导开关 寿命 高功率 激光功率密度 导通模式 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]