碳化硅基MOSFETs器件研究进展  

Progress in SiC based MOSFETs

作　　者：李金平[1] 王琨[2] 

机构地区：[1]国家国防科技工业局协作配套中心,北京100081 [2]中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083

出　　处：《西安邮电大学学报》2016年第4期1-8,共8页Journal of Xi’an University of Posts and Telecommunications

基　　金：国家自然科学基金重点项目(61334002)

摘　　要：基于近20年的研发,宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFETs)的制备工艺逐步成熟,性能不断提高,已有SiC MOSFETs产品进入市场,故综述双注入MOSFETs(DMOSFETs)和沟槽MOSFETs(UMOSFETs)两种结构的SiC MOSFETs的研究进展和发展趋势,并介绍SiC MOSFETs器件制备的关键工艺和目前推出SiC MOSFET产品的公司及其产品性能。The silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors （SiC MOSFETs） have been developing for twenty years, and their processing technologies and properties are im- proved gradually. Nowadays, some products of this kind have entered the market. The progress of SiC Double-implanted MOSFETs （DMOSTETs） and Trench MOSFETs （UMOSFETs） is re- viewed. Meanwhile, the devices＇ key proeessing techniques and the performance of SiC MOS- FETs products are also introduced.

关 键 词：碳化硅 功率器件 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 阻断电压 通态电阻 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]