黄淮

作品数：3被引量：6H指数：2
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供职机构：北京工业大学更多>>
发文主题：MOSFET导通电阻SUPERJUNCTION槽栅MOSFETJFET更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《电工技术学报》《电力电子》更多>>
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面向低压高频开关应用的功率JFET的功耗被引量：2
《电工技术学报》2009年第8期106-110,共5页田波 吴郁 黄淮 胡冬青 亢宝位 
北京市教委科技发展计划资助项目(KM200510005022)
提出了一种埋氧化物槽栅双极模式功率JFET(BTB-JFET),其面向低压高频开关应用。首次通过仿真对BTB-JFET、常规的槽栅双极模式JFET(TB-JFET)和槽栅MOSFET(T-MOSFET)等20V级的功率开关器件在高频应用时的功率损耗进行了比较。仿真中借鉴...
关键词：槽栅MOSFET 槽栅双极模式JFET 栅漏电容 埋氧化物 功耗 
降低功率MOSFET导通电阻R_(ON)的研究进展被引量：4
《电力电子》2007年第4期13-18,共6页黄淮 吴郁 亢宝位 
本文综述了降低功率MOSFET导通电阻的研究进展,从打破硅极限与降低沟道电阻两方面入手,介绍与分析了降低的各种新结构、新思想,并对其进行比较。最后,列出了其它降低导通电阻的方法。
关键词：MOSFET 导通电阻 COOLMOSFET SUPERJUNCTION RESURE FLIMOSFET Super 3D 
混合动力电动汽车逆变系统中驱动高达600A-IGBT用的一种600V高压半桥式栅极驱动器集成电路
《电力电子》2007年第2期39-42,共4页王浩 黄淮 
本文研制了一种600V高压半桥式、用于驱动IGBT栅极的集成电路(IC)。本文将先介绍基于监测IGBT传感电流的短路保护功能,然后介绍电平下移功能。之后,还将讨论另一种我们研制的短路保护功能电路,它通过对集电极和栅极的监测实现对IGBT的...
关键词：驱动器集成电路 混合动力电动汽车 IGBT 半桥式 栅极 逆变系统 高压 短路保护 
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