亚微米MOSFET的BSIM3模型参数提取  

Extracting the BSIM3 Model Parameters for Submicron MOSFET

作　　者：夏增浪[1] 胡贵才[1] 

机构地区：[1]北京微电子技术研究所

出　　处：《微电子学与计算机》1999年第4期8-9,共2页Microelectronics & Computer

摘　　要：文章采用ＨＰ的ＩＣ－ＣＡＰ对亚微米ＭＯＳＦＥＴ模型参数进行提取，给出了器件结构、测试系统及提取结果，并对提取模型的精确性进行了分析。This paper extracts the model parameters for submicron MOSFET by using HP's IC-CAP software, gives device structures, testing system and extrcted results, and evaluates the accuracy of the extracted model. The method used in this paper is general.

关 键 词：MOSFET BSIM3模型 参数提取 亚微米 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]