MOS变容管

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相关期刊：《计算机辅助设计与图形学学报》《微波学报》《清华大学学报（自然科学版）》《微电子学》更多>>
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一种简化衬底模型的SOI MOS变容管模型
《电子器件》2016年第6期1297-1301,共5页李文钧 陈小川 刘军 
国家自然科学基金项目(61372021)
提出一种适用于反型层RF SOI MOS变容管行为表征模型。在BSIMSOI的基础上,模型采用简化的衬底模型和外围射频寄生模型来表征变容管的射频寄生效应,同时采用T、π互转的方式提出参数提取算法。模型最终应用到华虹宏力SOI工艺提供的不同栅...
关键词：SOI MOS变容管 简化衬底模型 数据拟合 参数提取算法 
一种新的解析提取RF SOI MOS变容管衬底模型参数的方法
《中国集成电路》2015年第6期59-64,共6页沈国荣 陈小川 刘军 
本文提出一种适用于RF SOI工艺MOS变容管行为表征的新模型。提出的模型考虑了SOI衬底的物理特性,并给出了解析提取衬底寄生网络模型参数的方法。采用提出的模型,精确预见了RF SOI MOS变容管器件特性,测量和模型仿真结果,在20 GHz频率范...
关键词：MOS变容管 衬底模型 解析提取 
MOS管变容特性研究及振荡频率估计
《电子科技》2011年第8期24-27,共4页彭静玉 
采用软件模拟及仿真的方法,对MOS管变容的特性进行了分析,根据MOS管的变容特性得出一种VCO的频率精确估计方法。仿真实验表明,该方法具有较高的精确度。在电路的设计中可用该方法预测频率,或者提供元件的参考参数从而提高设计效率,降低...
关键词：MOS变容管 MATLAB 特性 频率预测 
应用于无线通讯领域的新型振荡器
《电脑知识与技术》2011年第6期3947-3949,共3页冯霞 吴秀龙 薛盘斗 
安徽省教育厅重点项目(KJ2010A022)
为了解决在深亚微米工艺下模拟射频电路在性能上的各种缺陷，该文论述了一种新型的LC振荡器，即数控振荡器（DCO）．采用数字射频的方法来实现无线通讯的技术要求。，这种新型的振荡器使用MOS变容管阵列来调节输出频率、通过使用数字Sig...
关键词：无线通讯 数控振荡器(DCO) MOS变容管 调频 
使用背靠背MOS变容管的低噪声全数控LC振荡器被引量：2
《清华大学学报（自然科学版）》2008年第7期1123-1126,共4页王少华 于光明 刘勇攀 杨华中 
国家自然科学基金资助项目(90207001;90307016);国家"八六三"高技术项目(2006AA01Z224)
为了解决全数控电感电容振荡器(fully digitallycontrolled inductor-capacitor oscillator,DCO)大信号工作时所引起的数控变容管的非线性问题,在对该种非线性进行分析的基础上,提出一种背靠背串联数控金属氧化物半导体(metal oxide sem...
关键词：集成电路 金属氧化物半导体(MOS) 电感电容振荡器 相位噪声 变容管 
基于BSIM3模型的毫米波MOS变容管建模被引量：3
《微电子学》2007年第6期833-837,共5页夏立诚 王文骐 胡嘉杰 
上海-应用材料研究与发展基金资助项目(0506)
提出了应用于毫米波段的MOS变容管的建模方法。针对标准0.18μm CMOS工艺,采用2D器件仿真软件MINIMOS,设计实现了积累型MOS变容管;并提出和分析了基于标准BSIM3模型的MOS变容管的等效电路模型;通过MINIMOS仿真,直接提取电路模型各寄生...
关键词：毫米波 CMOS 建模 MOS变容管 BSIM3 
增强型MOS变容管LCVCO增益建模被引量：1
《计算机辅助设计与图形学学报》2005年第8期1813-1817,共5页王飞 来金梅 张海清 孙承绶 章倩苓 
国家创新基金小额资助(03C26213100534)
研究分析了大信号振荡电压对变容管的调制效应,导出增强型变容管LCVCO增益解析模型.将该模型应用于Chartered0.35μmCMOS2P4MRF工艺实现的2.4GHzLCVCO设计中,spectreRF电路仿真得到的VCO增益曲线与模型预测的增益曲线吻合.
关键词：LC VCO 增强型变容管 大信号分析 VCO增益 
用积累型MOS变容管实现的2.4GHz0.25μm CMOS全集成压控振荡器被引量：1
《微波学报》2005年第B04期104-106,共3页王文骐 池懿 李长生 
上海市科委PDC专基金计划资助项目(编号: 017015030)
基于TSMC0．25μmCMOS工艺，将一个普通MOS管改进为工作在积累区的MOS变容管，实现了一工作于2．4GHz的全集成压控振荡器（VCO）。测试结果表明，采用积累型MOS变容管的VCO具有较大的调谐范围。在2．5V工作电压下，控制电压从0～2．2V，...
关键词：CMOS 压控振荡器(VCO) MOS变容管 
一种新型MOS变容管在射频压控振荡器中的应用被引量：4
《微电子学》2003年第3期207-210,共4页潘瑞 毛军发 
国家自然科学基金(69971015);上海市优秀学科带头人基金资助
　基于0.5μm工艺,设计了一个工作频率在1.8GHz,相位噪声在偏移量为500kHz时小于-100dBc/Hz的压控振荡器(VCO)。并将一个普通的压控MOS变容管改进为只工作在反型区的压控MOS变容管。将这两种MOS电容分别应用到该VCO电路中。结果表明,采...
关键词：射频电路 压控振荡器 MOS变容管 相位噪卢 VCO 场效应管 
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