一种新型MOS变容管在射频压控振荡器中的应用  

A Novel MOS Varactor in Voltage Controlled Oscillators for RF Applications

作　　者：潘瑞[1] 毛军发[1] 

机构地区：[1]上海交通大学电子工程系,上海200030

出　　处：《微电子学》2003年第3期207-210,共4页Microelectronics

基　　金：国家自然科学基金(69971015);上海市优秀学科带头人基金资助

摘　　要：　基于0.5μm工艺,设计了一个工作频率在1.8GHz,相位噪声在偏移量为500kHz时小于-100dBc/Hz的压控振荡器(VCO)。并将一个普通的压控MOS变容管改进为只工作在反型区的压控MOS变容管。将这两种MOS电容分别应用到该VCO电路中。结果表明,采用反型模式压控MOS变容管的VCO电路具有更大的调谐范围,调谐曲线由之前的反复变化变为单调变化,并且对电路的相位噪声也起到了抑制作用。A 18 GHz voltage controlled oscillator (VCO) is designed based on 05μm CMOS technology, which yielded phase noise as low as -100 dBc/Hz at 500 kHz offset A conventional voltagecontrolled MOS varatctor is modified to an inversion voltagecontrolled MOS varactor The two types of varactors are used in the VCO, respectively Results from simulation show that larger tuning range, better phase noise and monotonic tuning curve can be obtained with the inversion MOS varactor

关 键 词：射频电路 压控振荡器 MOS变容管 相位噪卢 VCO 场效应管 

分 类 号：TN752[电子电信—电路与系统]