用积累型MOS变容管实现的2.4GHz0.25μm CMOS全集成压控振荡器  

2.4GHz Fully Integrated VCO with Accumulation MOS Varactors in 0.25μm COMS Process

作　　者：王文骐[1] 池懿[1] 李长生[1] 

机构地区：[1]上海大学通信与信息工程学院,上海200072

出　　处：《微波学报》2005年第B04期104-106,共3页Journal of Microwaves

基　　金：上海市科委PDC专基金计划资助项目(编号: 017015030)

摘　　要：基于TSMC0．25μmCMOS工艺，将一个普通MOS管改进为工作在积累区的MOS变容管，实现了一工作于2．4GHz的全集成压控振荡器（VCO）。测试结果表明，采用积累型MOS变容管的VCO具有较大的调谐范围。在2．5V工作电压下，控制电压从0～2．2V，VCO的频率调节范围为2．210～2．484GHz，在2．4GHz时相位噪声为-105dBc／Hz@600kHz，输出功率为-7．55dBm，电流损耗为7mA。芯片面积约为0．35mm^2。A conventional MOS transistor is modified to an accumulation-mode MOS varactor. A 2.4GHz fully integrated voltage controlled oscillator （VCO） is designed based on 0.25μm COMS Process. The measurements performed on a bare-chip, powered by a 2.5V supply, shows that the oscillation frequency can be varied in the range 2. 210 -2. 484GHz, the phase noise at offset of 600KHz from a 2.4GHz carrier is -105dBc/Hz, and output power is -7.55dBm,with 7mA current consumption.

关 键 词：CMOS 压控振荡器(VCO) MOS变容管 

分 类 号：TN752[电子电信—电路与系统]