电感电容振荡器

作品数：5被引量：2H指数：1
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相关作者：李巍李宁任俊彦樊晓华张健更多>>
相关机构：北京中电华大电子设计有限责任公司复旦大学新泻精密株式会社瑞昱半导体股份有限公司更多>>
相关期刊：《清华大学学报（自然科学版）》《半导体技术》《南开大学学报（自然科学版）》《科技经济导刊》更多>>
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UHF RFID电感电容振荡器
《科技经济导刊》2018年第11期31-32,共2页张洁 
设计了一款基于CMOS工艺的低噪声电感电容压控振荡器,利用高面积效率电容和电感改善振荡器的相位噪声,同时实现较宽的调谐范围。电路采用交叉耦合PMOS结构和交叉耦合NMOS结构,结合相关的参数设计,仿真结果满足了设计要求。在1.8V的工作...
关键词：电感电容压控振荡器 可变电容 相位噪声 交叉耦合结构 
基于电感电容振荡器的电荷泵锁相环的设计
《半导体技术》2011年第6期451-454,473,共5页袁莉 周玉梅 张锋 
国家重大专项资助项目(2009ZX03007-002-03);国家自然科学基金资助项目(60801045)
设计并实现了一种采用电感电容振荡器的电荷泵锁相环,分析了锁相环中鉴频/鉴相器(PFD)、电荷泵(CP)、环路滤波器(LP)、电感电容压控振荡器(VCO)的电路结构和设计考虑。锁相环芯片采用0.13μm MS&RF CMOS工艺制造。测试结果表明,锁相环...
关键词：锁相环 电感电容振荡器 电荷泵 鉴频鉴相器 环路滤波器 
自动幅度控制电路在射频CMOS电感电容振荡器中的应用及原理分析
《南开大学学报（自然科学版）》2010年第6期99-103,共5页刘慧敏 张小兴 戴宇杰 吕英杰 
天津市教委基金资助项目(SB20080048)
分析推导了互补金属氧化物半导体(CMOS)电感电容振荡器的电压振荡幅度与相位噪声的关系.采用自动幅度控制电路控制射频CMOS电感电容振荡器,在0.18μm CMOS工艺下进行Candence SpectreRF仿真,在3.4 GHZ时,1 MHz频偏处相位噪声最差值采用...
关键词：自动幅度控制 CMOS电感电容振荡器 相位噪声 品质因数 
应用于高频低功耗系统的1.2V 10GHz注入锁定分频器
《复旦学报（自然科学版）》2008年第6期685-690,共6页尹江伟 李宁 李巍 任俊彦 
Supported by National Project of"Eleventh Five-Year-Plan"(51308020403);Science and Technology Commission of Shanghai Municipality on the Research of IC Design
设计了一个高频低功耗的注入锁定二分频器.该分频器通过将输入信号注入到LC振荡器的二次谐波点来实现注入锁定并对输入信号二分频.电路采用TSMC 0.18μm RF-CMOS工艺设计,分频器可以将幅度为300 mV的输入信号在8.6~11.2 GHz频率范围内...
关键词：二分频器 注入锁定 电感电容振荡器 高频 低功耗 
使用背靠背MOS变容管的低噪声全数控LC振荡器被引量：2
《清华大学学报（自然科学版）》2008年第7期1123-1126,共4页王少华 于光明 刘勇攀 杨华中 
国家自然科学基金资助项目(90207001;90307016);国家"八六三"高技术项目(2006AA01Z224)
为了解决全数控电感电容振荡器(fully digitallycontrolled inductor-capacitor oscillator,DCO)大信号工作时所引起的数控变容管的非线性问题,在对该种非线性进行分析的基础上,提出一种背靠背串联数控金属氧化物半导体(metal oxide sem...
关键词：集成电路 金属氧化物半导体(MOS) 电感电容振荡器 相位噪声 变容管 
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