陈小川

作品数：1被引量：0H指数：0
导出分析报告
供职机构：中国科学院上海高等研究院更多>>
发文主题：衬底MOS变容管SOI模型参数更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《中国集成电路》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
一种新的解析提取RF SOI MOS变容管衬底模型参数的方法
《中国集成电路》2015年第6期59-64,共6页沈国荣 陈小川 刘军 
本文提出一种适用于RF SOI工艺MOS变容管行为表征的新模型。提出的模型考虑了SOI衬底的物理特性,并给出了解析提取衬底寄生网络模型参数的方法。采用提出的模型,精确预见了RF SOI MOS变容管器件特性,测量和模型仿真结果,在20 GHz频率范...
关键词：MOS变容管 衬底模型 解析提取 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部