何佳

作品数：4被引量：3H指数：1
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供职机构：杭州电子科技大学更多>>
发文主题：INPHBT模型参数BSIM3模型高压LDMOS更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《电子器件》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：浙江省教育厅科研计划国防科技重点实验室基金更多>>
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基于表面电势的高压LDMOS晶体管直流模型改进被引量：2
《电子器件》2008年第4期1109-1112,共4页孙玲玲 何佳 刘军 
针对标准MOSFET的BSIM3和PSP模型在高压LDMOS建模上的不足,提出了基于PSP表面电势方程的改进高压LDMOS晶体管I-V模型。在研究过程中,使用Agilent系列直流测试设备及ICCAP参数提取软件和ADS仿真器对高压LDMOS晶体管进行数据采集及参数提...
关键词：器件建模 高压LDMOS VERILOG-A 参数提取 BSIM3模型 PSP模型 
A Continuous and Analytical Surface Potential Model for SOI LDMOS被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第11期1712-1716,共5页徐文杰 孙玲玲 刘军 李文钧 张海鹏 吴颜明 何佳 
A continuous and analytical surface potential model for SOI LDMOS, which accounts for automatic transitions between fully and partially-depleted statuses,is presented. The surface potential equation of the SOI de- vic...
关键词：SOI LDMOS body contact surface potential PSP 
RF-S01建模：一种精确的体接触RF-LDMOSFET大信号模型
《Journal of Semiconductors》2007年第11期1786-1793,共8页刘军 孙玲玲 李文钧 钟文华 吴颜明 何佳 
提出一种精确的体接触RF-SOI(radio frequency silicon-on-insulator)LDMOSFET(lateral double diffusedMOSFET)大信号等效电路模型.模型漏电流及偏置相关电容模型方程连续、任意阶次可导.发展出一种新的可满足电荷守恒栅源、栅漏电容模...
关键词：RF-SOI LDMOSFET 体接触 大信号模型 可导 谐波功率 
用于InP HBT的Agilent HBT模型参数提取流程
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期443-447,共5页何佳 孙玲玲 刘军 
国防科技重点实验室基金资助项目(批准号:9140c0605010702)
介绍了Agilent HBT大信号模型参数提取方法,继承并改进了Gummel-Poon模型和VBIC模型参数的提取方法,以及对分布电容、本征电阻和渡越时间的参数提取技术,并对单指InP HBT器件进行了测量和仿真.实验结果表明,该模型对InP HBT直流特性及50...
关键词：AGILENT HBT INP 大信号 模型 参数提取 
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